SI8650ED-B-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)公司推出的一款高性能数字隔离器芯片,属于其Si86xx系列。该芯片采用电容隔离技术,具备高隔离电压、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于工业自动化、通信设备、医疗仪器和电源管理系统等领域。SI8650ED-B-ISR 提供了多通道数字隔离功能,支持高速数据传输,同时保持输入和输出端的电气隔离,以保障系统安全。
型号:SI8650ED-B-ISR
封装类型:SOIC-16
通道数:2通道
方向性:2个通道均为单向(发送方向可配置)
最大数据速率:150 Mbps
供电电压范围:2.7V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
隔离电压:2.5 kVRMS(符合UL认证)
爬电距离和间隙:>8 mm
故障耐受电压(浪涌):5 kV
传播延迟:最大 10 ns
电源电流(每通道):典型 3.5 mA
ESD 耐压:±8 kV(HBM)
SI8650ED-B-ISR 具备多项优异的性能特性,适用于对隔离性能和数据传输速率要求较高的应用场景。首先,该芯片采用了电容隔离技术,相比传统的光耦隔离器,具有更长的使用寿命、更高的稳定性和更低的功耗。其双通道结构支持独立的数据传输方向配置,适用于全双工或半双工通信系统。
该芯片支持高达150 Mbps的数据速率,适用于高速数字信号隔离。其宽电压供电范围(2.7V至5.5V)使得它可以与多种逻辑电平兼容,包括1.8V、2.5V、3.3V和5V系统,增强了设计的灵活性。
SI8650ED-B-ISR 的隔离电压达到2.5 kVRMS,并通过了UL、CSA和IEC认证,满足工业和医疗设备中对安全性和可靠性的高标准要求。其爬电距离和间隙超过8 mm,具备良好的抗污染和抗湿气能力,适合在恶劣环境下使用。
此外,该器件具有极低的传播延迟(最大10 ns),确保了高速系统中信号的同步性。其电源电流较低,典型值为3.5 mA/通道,有助于降低系统功耗,提高能效。
该芯片还具备较强的抗静电(ESD)能力,可承受±8 kV的静电放电冲击,提高了系统在复杂电磁环境中的稳定性。
SI8650ED-B-ISR 主要应用于需要电气隔离和高速数据传输的工业和通信系统中。例如,在工业自动化控制系统中,它可用于隔离PLC与传感器或执行器之间的信号传输;在通信设备中,该芯片可用于隔离RS-485或CAN总线接口,防止地电位差引起的干扰或损坏。
医疗设备中常常需要对患者和操作人员进行电气隔离,SI8650ED-B-ISR 可用于隔离测量信号或通信接口,如ECG(心电图)设备、血液分析仪等。在电源管理系统中,它可用于隔离PWM控制信号,实现安全高效的功率转换。
此外,该芯片也适用于电机驱动、智能电表、隔离式ADC/DAC接口、现场总线隔离、继电器控制以及需要高速信号隔离的嵌入式系统。
ADuM1201BRZ, ISO7221AD, Si8241BB-D-ISR