您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI8650ED-B-ISR

SI8650ED-B-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 19:51:41 查看 阅读:5

SI8650ED-B-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)公司推出的一款高性能数字隔离器芯片,属于其Si86xx系列。该芯片采用电容隔离技术,具备高隔离电压、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于工业自动化、通信设备、医疗仪器和电源管理系统等领域。SI8650ED-B-ISR 提供了多通道数字隔离功能,支持高速数据传输,同时保持输入和输出端的电气隔离,以保障系统安全。

参数

型号:SI8650ED-B-ISR
  封装类型:SOIC-16
  通道数:2通道
  方向性:2个通道均为单向(发送方向可配置)
  最大数据速率:150 Mbps
  供电电压范围:2.7V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离电压:2.5 kVRMS(符合UL认证)
  爬电距离和间隙:>8 mm
  故障耐受电压(浪涌):5 kV
  传播延迟:最大 10 ns
  电源电流(每通道):典型 3.5 mA
  ESD 耐压:±8 kV(HBM)

特性

SI8650ED-B-ISR 具备多项优异的性能特性,适用于对隔离性能和数据传输速率要求较高的应用场景。首先,该芯片采用了电容隔离技术,相比传统的光耦隔离器,具有更长的使用寿命、更高的稳定性和更低的功耗。其双通道结构支持独立的数据传输方向配置,适用于全双工或半双工通信系统。
  该芯片支持高达150 Mbps的数据速率,适用于高速数字信号隔离。其宽电压供电范围(2.7V至5.5V)使得它可以与多种逻辑电平兼容,包括1.8V、2.5V、3.3V和5V系统,增强了设计的灵活性。
  SI8650ED-B-ISR 的隔离电压达到2.5 kVRMS,并通过了UL、CSA和IEC认证,满足工业和医疗设备中对安全性和可靠性的高标准要求。其爬电距离和间隙超过8 mm,具备良好的抗污染和抗湿气能力,适合在恶劣环境下使用。
  此外,该器件具有极低的传播延迟(最大10 ns),确保了高速系统中信号的同步性。其电源电流较低,典型值为3.5 mA/通道,有助于降低系统功耗,提高能效。
  该芯片还具备较强的抗静电(ESD)能力,可承受±8 kV的静电放电冲击,提高了系统在复杂电磁环境中的稳定性。

应用

SI8650ED-B-ISR 主要应用于需要电气隔离和高速数据传输的工业和通信系统中。例如,在工业自动化控制系统中,它可用于隔离PLC与传感器或执行器之间的信号传输;在通信设备中,该芯片可用于隔离RS-485或CAN总线接口,防止地电位差引起的干扰或损坏。
  医疗设备中常常需要对患者和操作人员进行电气隔离,SI8650ED-B-ISR 可用于隔离测量信号或通信接口,如ECG(心电图)设备、血液分析仪等。在电源管理系统中,它可用于隔离PWM控制信号,实现安全高效的功率转换。
  此外,该芯片也适用于电机驱动、智能电表、隔离式ADC/DAC接口、现场总线隔离、继电器控制以及需要高速信号隔离的嵌入式系统。

替代型号

ADuM1201BRZ, ISO7221AD, Si8241BB-D-ISR

SI8650ED-B-ISR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI8650ED-B-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1,250 : ¥23.96895卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 类型通用
  • 隔离式电源
  • 通道数5
  • 输入 - 侧 1/侧 25/0
  • 通道类型单向
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)35kV/μs
  • 数据速率150Mbps
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)13ns,13ns
  • 脉宽失真(最大)4.5ns
  • 上升/下降时间(典型值)2.5ns,2.5ns
  • 电压 - 供电2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC