类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-2.5A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(ON)）：180mΩ（最大值，VGS = -10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V至-2.5V
　　功率耗散（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

2SJ476-01S-TE24P MOSFET具备多个优良的电气特性，使其适用于多种功率控制和开关应用。其P沟道结构使其在低电压条件下能够有效地进行高侧开关操作。该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET的SOT-223封装不仅节省空间，还提高了热管理和散热性能，从而增强器件在高负载条件下的稳定性。
　　该器件的最大漏源电压为-30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低功率转换器设计。最大连续漏极电流为-2.5A，在25°C环境温度下可以满足大多数中功率应用的需求。其栅极的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了器件在较宽的控制电压范围内都能可靠导通。
　　此外，该MOSFET的功率耗散能力为1.25W，支持较高的工作温度范围（-55°C至150°C），使其能够在恶劣环境下稳定运行。该器件的快速开关特性和较低的输入电容也使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高系统的响应速度和能效。

2SJ476-01S-TE24P MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　1. **DC-DC转换器**：在升压或降压电路中作为高侧开关，实现高效的电压转换。
　　2. **负载开关电路**：用于控制电池供电设备中的电源分配，如便携式电子产品中的电源管理模块。
　　3. **电源管理系统**：在多路电源管理电路中作为切换元件，提高系统的能效和稳定性。
　　4. **电机控制**：用于小型电机驱动电路中的功率开关，实现电机的启停和方向控制。
　　5. **LED照明**：在LED驱动电路中作为调光或开关控制元件，实现精确的亮度调节。

2SJ476-01S-TE24P 的替代型号包括2SJ476-01S、2SJ476-01S-TB等，具体可根据封装和电气参数进行选择。