LZ2326AJ 时间：2025/8/28 4:44:03 阅读：24

LZ2326AJ 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类高频率开关电路中。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。LZ2326AJ 通常封装在TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装中，适合中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：160A
　　脉冲漏极电流 Idm：640A
　　导通电阻 Rds(on)：2.6mΩ（典型值）
　　功耗 PD：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

LZ2326AJ 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，能够在高频率下稳定工作，适用于如同步整流、DC-DC降压/升压变换器、电池管理系统等高频开关电路。
　　此外，LZ2326AJ 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达160A，同时在短时间脉冲条件下可承受高达640A的电流，使其适用于需要瞬时高电流输出的场合。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准的10V驱动电路，也可在较低电压下工作以适应不同的控制策略。
　　在可靠性方面，LZ2326AJ 具有良好的热稳定性，能够在150°C高温下持续工作，具备较强的抗热击穿能力。其栅极氧化层经过优化设计，增强了抗静电能力和长期工作的稳定性，适合工业级和汽车电子应用。