品牌：Silicon Labs
　　型号：Si8645ET-IS
　　类型：数字隔离器
　　通道数：4
　　通道方向配置：3/1（三路正向，一路反向）
　　数据速率：150 Mbps
　　隔离电压：5000 Vrms
　　工作电压：2.7V 至 5.5V（VDD1），2.7V 至 5.5V（VDD2）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-16（宽体）
　　安全认证：UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、VDE EN60747-17 (Option 5)、CQC
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs
　　传播延迟：最大 15 ns
　　电源电流：每通道典型值 1.2 mA
　　爬电距离：8 mm
　　间隙：8 mm

Si8645ET-IS采用Silicon Labs专有的电容隔离技术，通过在芯片级实现高介电强度的二氧化硅（SiO2）绝缘层来提供卓越的隔离性能。这种材料具有极高的耐压能力和长期稳定性，相较于传统的光耦合器，不会因老化或温度变化而出现性能衰减。每个隔离通道由高频调制电路、差分电容耦合结构和解调电路组成，能够以高达150 Mbps的数据速率可靠地传输数字信号。其低传播延迟（典型值小于10 ns，最大15 ns）确保了高速通信协议的时序完整性，适用于实时控制系统。
　　该器件具备出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），达到±150 kV/μs，意味着即使在存在剧烈电压跳变的环境中（如电机驱动、逆变器或开关电源系统），也能保持信号的准确传输而不发生误码。同时，Si8645ET-IS的四个通道支持灵活的方向配置（3个前向通道和1个反向通道），非常适合需要双向通信但主从方向明确的应用场景，例如微控制器与隔离侧外设之间的SPI通信，其中三条线（SCLK、MOSI、CS）为输入方向，一条线（MISO）为输出方向。
　　功耗方面，Si8645ET-IS在典型工作条件下每通道仅消耗约1.2 mA电流，整体功耗远低于传统光耦方案，有助于提升系统能效并减少散热需求。它支持宽电源电压范围（2.7V～5.5V），允许跨电压操作，即初级侧和次级侧可工作在不同电压下，便于连接不同逻辑电平的系统（如3.3V MCU与5V传感器）。此外，该芯片内置信号完整性增强功能，包括脉冲宽度失真补偿和故障安全输出机制，在输入信号丢失或断电情况下可将输出端置于预定义状态，提高系统安全性。
　　封装采用16引脚宽体SOIC，爬电距离和间隙均达到8 mm，满足强化绝缘要求，适用于高海拔或污染等级较高的工业现场。所有引脚均兼容自动光学检测（AOI），有利于自动化生产。Si8645ET-IS还通过了多项国际安全标准认证，包括UL1577、VDE 0884-10和CQC，可用于医疗设备、工业自动化、新能源等领域中的安全隔离设计。

Si8645ET-IS广泛应用于需要高可靠性数字隔离的各种场景。在工业自动化领域，常用于PLC模块、数字I/O隔离、现场总线接口和电机控制驱动电路中，用于隔离控制器与执行机构之间的信号，防止高压反馈损坏主控单元。在电源管理系统中，可用于隔离DC-DC转换器的反馈控制信号或数字监控接口，如PMBus通信线路。在新能源应用中，如光伏逆变器和电动汽车充电桩，该芯片用于隔离MCU与功率桥驱动器之间的PWM信号，保障人身与设备安全。
　　通信系统中，Si8645ET-IS适用于隔离RS-485、CAN、I2C和SPI总线，特别是在多节点网络中消除地电位差引起的干扰。在医疗电子设备中，因其通过了严格的安规认证，可用于病人连接型设备的信号隔离，确保漏电流极低且绝缘性能可靠。此外，在测试与测量仪器、数据采集系统以及嵌入式控制系统中，该器件也常被用来实现高精度模拟前端与数字处理部分之间的隔离，提升系统抗噪能力。其高速特性和低延迟表现尤其适合用于需要快速响应的闭环控制系统，如伺服驱动器和数字电源控制环路。
　　由于其支持宽电压操作和工业级温度范围，Si8645ET-IS也被广泛应用于恶劣环境下的远程IO模块、智能传感器接口和工业网关设备中。这些应用场景通常面临高温、高湿、强电磁干扰等挑战，而该芯片的稳定性能和高抗扰度能够有效应对这些问题，确保长期运行的可靠性。同时，其小尺寸封装有助于缩小PCB面积，适应紧凑型设计需求。

ADuM1401BRWZ
　　ISO7741FDBQR
　　SI8642BB-IM