时间：2025/12/27 8:58:40
阅读：13
2SD882G-P-TN3-R是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于中等功率放大和开关应用。该器件采用紧凑的表面贴装封装形式——TP2（也称作SC-69或SOT-416FL），具有较高的电流增益、优良的频率响应以及良好的热稳定性，适用于空间受限但需要稳定性能的便携式电子设备。2SD882G-P-TN3-R属于罗姆公司的标准系列晶体管产品线，广泛用于电源管理、DC-DC转换器驱动级、小型电机控制、LED驱动电路以及信号放大模块中。该型号后缀“-TN3-R”表示其为编带包装（tape and reel），适合自动化贴片生产流程，提升了大规模制造中的装配效率。该晶体管符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：7V
集电极电流（IC）：3A（最大值）
集电极峰值电流（ICM）：3A
直流电流增益（hFE）：200～400（在IC=1.5A时）
过渡频率（fT）：200MHz
功率耗散（PD）：200mW
工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
封装形式：TP2（SOT-416FL）
2SD882G-P-TN3-R具备优异的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）达到200MHz，使其不仅适用于直流开关操作，还能有效处理高频信号放大任务，如射频前端驱动或高速脉冲调制电路。该晶体管在中等电流范围内表现出稳定的电流增益特性，在集电极电流为1.5A时，直流电流增益（hFE）可维持在200至400之间，确保了在负载变化条件下仍能保持良好的线性放大性能。这种高且一致的增益表现对于音频放大器输出级、推挽拓扑结构中的匹配对管设计尤为关键。
该器件采用TP2小型化封装，尺寸仅为约1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等追求轻薄化的终端产品。尽管体积小，但其热阻设计优化良好，能够在有限散热条件下持续承载高达3A的集电极电流，短时间内可承受浪涌电流冲击，增强了系统可靠性。此外，低饱和压降（VCE(sat)）特性显著降低了导通损耗，提高整体能效，尤其在电池供电系统中延长续航时间方面发挥重要作用。
2SD882G-P-TN3-R还具备良好的温度稳定性，其电气参数随环境温度变化较小，可在-55℃至+150℃的宽结温范围内正常工作，适应极端工业与车载环境下的运行需求。器件内部结构经过严格工艺控制，确保批次间一致性高，减少生产调试难度。同时，该晶体管抗静电能力较强，并通过多项国际可靠性测试认证，包括高温反偏（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）等，保障长期使用的安全性与耐久性。
2SD882G-P-TN3-R常用于各类中小功率电子系统的开关与放大功能模块中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的LCD背光驱动或LED闪光灯控制电路，利用其快速开关特性和高电流驱动能力实现亮度调节。在电源管理系统中，它可作为低压差稳压器（LDO）的调整管或用于DC-DC升压/降压转换器的驱动级晶体管，协助构建高效的能量转换路径。此外，该器件也广泛应用于微型马达驱动，例如手机振动马达、摄像头自动对焦马达的启停控制，凭借其高电流增益和低导通压降优势，能够以较低的控制信号精确驱动感性负载。
在通信设备中，2SD882G-P-TN3-R可用于射频信号放大链路的末级缓冲或预驱动级，支持高频模拟信号的不失真传输。工业控制领域则将其用于传感器信号调理、继电器驱动或光电耦合器输出级，提升接口电路的驱动能力和抗干扰性能。由于其小型化封装和自动化装配兼容性，该晶体管非常适合高密度SMT（表面贴装技术）生产线使用，广泛见于蓝牙耳机、智能手表、无线充电模块等新兴物联网设备中，为现代电子产品的集成化与微型化提供可靠的核心元件支持。
[
"MMBT3904",
"FMMT449TA",
"KSC3265DTBU",
"BCX70K,215",
"ZTX605"
]
