时间：2025/5/19 9:16:17
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HY27US08121B-TPCB 是一款由 Hynix（海力士）生产的 NAND Flash 存储芯片。该芯片采用 8Gbit 的存储容量，使用了 3.3V 的工作电压设计，主要应用于需要大容量存储的嵌入式系统、消费电子以及通信设备中。
该型号属于多级单元（MLC）NAND Flash 系列，支持标准的 ONFI（Open NAND Flash Interface）协议，具有较快的数据传输速度和较长的使用寿命。
容量：8Gbit
工作电压：3.3V
接口类型：ONFI 标准接口
封装形式：TSOP
数据传输速率：最高可达 50MB/s
擦写寿命：约 5000 次
工作温度范围：0°C 至 70°C
存储温度范围：-40°C 至 85°C
HY27US08121B-TPCB 提供了高密度的存储解决方案，其主要特性包括：
1. 大容量：单颗芯片即可提供 8Gbit 的存储空间，适用于多种存储需求。
2. 高性能：支持高达 50MB/s 的数据传输速率，能够满足快速读写的需求。
3. 可靠性：采用了 MLC 技术，具备较高的擦写寿命和数据保持能力。
4. 兼容性强：遵循 ONFI 协议标准，可与主流主控芯片兼容。
5. 封装紧凑：采用 TSOP 封装，适合于对空间要求严格的设备。
6. 工作电压低：仅需 3.3V 的供电，有助于降低功耗和热量产生。
HY27US08121B-TPCB 广泛应用于以下领域：
1. 嵌入式系统：如工业控制、智能家居和安防监控等需要稳定存储的场景。
2. 消费类电子产品：例如 MP3 播放器、数码相机和其他便携式设备。
3. 移动通信设备：包括手机、平板电脑及其他移动终端中的固件或用户数据存储。
4. 固态硬盘（SSD）：作为 SSD 中的一个存储单元，提供高效的大容量存储方案。
5. 数据记录设备：用于记录传感器数据或日志信息，保证数据的长期保存。
HY27US08221B-TPCB, K9F1G08U0M
