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SI8620BT-IS 发布时间 时间:2025/12/27 6:56:42 查看 阅读:15

Si8620BT-IS是Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能数字隔离器,广泛应用于需要电气隔离的工业、通信和消费类电子系统中。该器件基于Silicon Labs专有的CMOS工艺和电容隔离技术,能够在高噪声、高电压或接地环路复杂的环境中提供可靠的数据传输。Si8620BT-IS集成了多个隔离通道,支持双向通信,具有出色的抗干扰能力、低功耗和高可靠性,适用于替代传统的光耦隔离方案。其封装采用小型化的SOIC-16宽体设计,符合行业标准的爬电距离和电气间隙要求,满足UL、CSA、VDE等国际安全认证标准。该芯片工作温度范围为-40°C至+125°C,适合在严苛的工业环境下稳定运行。

参数

型号:Si8620BT-IS
  制造商:Silicon Labs
  通道数:2通道(双向可配置)
  数据速率:最高可达150 Mbps
  隔离耐压:2.5 kVRMS(持续工作)
  瞬态共模抑制(CMTI):>50 kV/μs
  工作电压:3.0V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-16(宽体)
  安全认证:UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、VDE 0884-10(增强型隔离)
  传播延迟:典型值 10 ns
  脉冲宽度失真:≤5 ns
  电源电流:每通道典型值 2.5 mA
  上升/下降时间:典型值 2 ns

特性

Si8620BT-IS采用Silicon Labs先进的电容隔离技术,通过在芯片内部集成高频调制和解调电路,实现信号跨隔离屏障的高速、低延迟传输。其核心原理是在输入端将数字信号转换为高频载波信号,经过微型片上电容耦合至输出端,再经解调还原为原始数字信号。这种架构相比传统光耦无需发光二极管和光电晶体管,避免了老化、温度漂移和启动延迟等问题,显著提升了长期可靠性和稳定性。
  该器件具备优异的瞬态共模抑制能力(CMTI >50 kV/μs),即使在快速电压变化或强电磁干扰环境下也能保持数据完整性,防止误触发或信号丢失。此外,Si8620BT-IS支持高达150 Mbps的数据速率,远超传统光耦的性能上限,适用于高速通信接口如SPI、I2C、UART、CAN等。其低传播延迟(典型10 ns)和极小的脉冲宽度失真(≤5 ns)确保了时序精度,特别适合对时序要求严格的实时控制系统。
  在功耗方面,Si8620BT-IS每通道仅消耗约2.5 mA电流,显著低于光耦的驱动电流需求,有助于降低系统整体功耗,提升能效。其宽电源电压范围(3.0V–5.5V)使其能够与多种逻辑电平兼容,简化系统设计。SOIC-16宽体封装不仅节省PCB空间,还提供了足够的爬电距离和电气间隙,满足增强型隔离的安全标准。所有引脚均符合RoHS环保要求,并具备ESD防护能力,增强了现场应用的鲁棒性。

应用

Si8620BT-IS广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中,尤其是在工业自动化、电机控制、电源管理和通信接口领域表现突出。在工业PLC、传感器模块和现场总线接口中,该芯片用于隔离微控制器与外部高电压或噪声环境,保障主控系统的安全与稳定。在开关电源、DC-DC转换器和光伏逆变器中,Si8620BT-IS常用于隔离反馈控制回路,如连接PWM控制器与次级侧检测电路,实现精确的电压/电流调节。
  在电动汽车和充电桩系统中,Si8620BT-IS可用于电池管理系统(BMS)中的信号隔离,确保高压电池组与低压控制单元之间的安全通信。在医疗设备中,其符合严格的安全隔离标准,适用于病人连接型设备的信号传输隔离,防止漏电流危害。
  此外,该器件也适用于隔离式RS-485、CAN、USB接口和数字输入/输出模块,提升通信可靠性。在测试测量仪器和数据采集系统中,Si8620BT-IS可有效抑制接地环路引起的噪声干扰,提高信号采集精度。由于其高集成度和高可靠性,Si8620BT-IS已成为现代电子系统中替代传统光耦的理想选择,尤其在追求小型化、高速化和长寿命的应用场景中具有明显优势。

替代型号

ADuM120N0BRZ
  ISO7221ADR
  DS800PCI

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SI8620BT-IS参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥28.86000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 类型通用
  • 隔离式电源
  • 通道数2
  • 输入 - 侧 1/侧 22/0
  • 通道类型单向
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)60kV/μs
  • 数据速率150Mbps
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)13ns,13ns
  • 脉宽失真(最大)4.5ns
  • 上升/下降时间(典型值)2.5ns,2.5ns
  • 电压 - 供电2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC