时间：2025/10/21 11:27:10
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Si8421AB-D-IS是一款由Silicon Labs推出的高性能数字隔离器，广泛应用于需要电气隔离的工业、通信和消费类电子系统中。该器件采用先进的CMOS工艺制造，结合了高可靠性与低功耗特性，能够有效隔离高压电路与低压控制电路之间的信号传输，防止噪声干扰、地环路问题以及潜在的电压浪涌对敏感电子元件造成损害。Si8421AB-D-IS属于双通道数字隔离器，提供两个独立的单向通道，支持高速数据传输，适用于SPI、I2C、UART等常见数字接口协议。其内部通过电容隔离技术实现信号跨隔离层的传输，相较于传统的光耦合器，具有更高的数据速率、更长的使用寿命、更低的功耗以及更好的温度稳定性。该芯片封装在小型SOIC-8宽体（D）封装中，具备良好的爬电距离和电气间隙，符合国际安全标准，如UL、VDE和CSA等认证要求，适合用于医疗设备、工业自动化、电源管理、电机驱动和可再生能源系统等领域。此外，Si8421AB-D-IS工作温度范围宽，支持-40°C至+125°C的工业级温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
型号：Si8421AB-D-IS
通道数：2（单向）
数据速率：150 Mbps
供电电压：2.5V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
隔离耐压：2500 Vrms（持续）
瞬态共模抑制能力（CMTI）：50 kV/μs（最小）
传播延迟：10 ns（最大）
脉冲宽度失真：3 ns（最大）
上升/下降时间：2.5 ns
封装类型：SOIC-8 宽体（D Package）
安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE 0884-10
Si8421AB-D-IS采用Silicon Labs专有的电容隔离技术，利用高频调制方式将数字信号跨越隔离栅进行传输。这种技术基于片上微小电容器作为隔离介质，在发送端将输入逻辑信号转换为高频载波信号，经过隔离层后在接收端解调还原为原始数字信号。相比传统光耦合器依赖LED发光与光电晶体管检测的方式，电容隔离方案避免了LED老化导致的性能衰减问题，从而显著提升了器件的长期可靠性和寿命。同时，该技术允许实现极高的数据传输速率，最高可达150 Mbps，满足现代高速通信接口的需求。每个通道都具备独立的缓冲输出结构，确保信号完整性，并且具有极低的传播延迟和脉冲宽度失真，使得多通道同步操作更加精确。
该器件具备出色的抗电磁干扰能力和高共模瞬态抑制（CMTI）性能，典型值达到50 kV/μs，能够在存在强烈开关噪声或电压突变的环境中保持稳定的数据传输，适用于变频器、逆变器、PLC等工业控制系统。此外，Si8421AB-D-IS支持宽电源电压范围（2.5V–5.5V），允许其与不同逻辑电平系统（如3.3V与5V混合系统）无缝对接，增强了系统设计的灵活性。其低功耗设计也使其非常适合电池供电或节能型应用。SOIC-8宽体封装不仅提供了足够的物理隔离距离，还便于手工焊接和自动化贴装，兼容标准PCB布局流程。所有引脚均符合RoHS环保要求，并通过了严格的安全认证，包括UL、CSA、TüV等国际标准，确保产品在全球范围内的合规性与市场准入能力。
Si8421AB-D-IS广泛应用于各类需要信号隔离的电子系统中，尤其适用于工业自动化领域中的可编程逻辑控制器（PLC）、数字输入/输出模块、现场总线接口和传感器信号调理电路。在电源管理系统中，它常用于隔离DC-DC转换器的反馈回路、电流检测电路以及半桥/全桥驱动器中的控制信号传输，以防止高压侧故障影响低压控制部分。在电机驱动应用中，该器件可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM信号，提高系统的抗噪能力和安全性。在太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，Si8421AB-D-IS能够实现高压直流母线监测信号的安全隔离传输，保障操作人员和设备安全。此外，其高速响应特性也使其适用于通信接口隔离，例如RS-485、CAN总线和USB隔离模块，有效消除地电位差引起的通信异常。医疗电子设备中同样可以采用该器件进行患者连接部分与主控系统之间的电气隔离，满足严格的医疗安全标准。由于其紧凑的封装和高集成度，Si8421AB-D-IS也被广泛用于空间受限的嵌入式系统和便携式仪器仪表中，提供可靠的隔离解决方案。
ISO7221ADBR, ADuM1201ARZ, MAX14850EASA+
