封装尺寸：0201 (0.6mm x 0.3mm)
　　电容值：6800pF (6.8nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：25V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　端子类型：Ni-barrier (镍阻挡层)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　产品系列：0201B
　　品牌：Samsung Electro-Mechanics
　　符合标准：RoHS合规，无卤素

0201B682K250NT所采用的X7R介电材料是一种稳定的铁电陶瓷材料，具有较高的介电常数和良好的温度稳定性，使其在-55°C到+125°C的极端温度范围内仍能维持电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等低稳定性介质。这种稳定性使其特别适用于需要长期可靠运行且环境温度波动较大的应用场景，如移动通信设备中的射频匹配网络或电源去耦电路。X7R材料还具备较低的电容电压依赖性，在额定电压范围内电容下降幅度较小，有助于维持电路性能的一致性。
　　该电容器采用0201微型封装，是目前主流的小型化MLCC封装之一，体积仅为传统0402封装的三分之一左右，极大提升了PCB上的元件布局密度，有利于实现设备的小型化与轻薄化设计。尽管尺寸微小，但其仍保持了25V的工作电压，兼顾了高压需求与空间限制之间的平衡，适用于电池供电设备中常见的3.3V或5V电源轨的滤波与去耦。
　　Ni-barrier端子结构是三星MLCC的一项关键技术，通过在内电极与外电极之间引入镍阻挡层，有效防止铜或银离子向介质层迁移，从而显著提升器件的耐湿性和长期可靠性，尤其是在高温高湿环境下表现出更强的抗老化能力。这一结构也增强了焊接强度和热循环耐久性，减少因热应力导致的裂纹风险。
　　此外，0201B682K250NT支持高速贴片机进行自动化贴装，适用于大规模SMT生产工艺。其无铅兼容设计符合现代环保标准，可在标准回流焊条件下（峰值温度约260°C）稳定加工而不损伤内部结构。整体而言，该器件在尺寸、性能与可靠性之间实现了良好平衡，是高端消费电子中理想的高频去耦与信号耦合元件。

0201B682K250NT主要应用于对空间高度敏感且要求稳定电气性能的高端消费类电子产品中。在智能手机和平板电脑中，它常用于处理器电源引脚的去耦滤波，以抑制高频噪声并稳定供电电压，确保系统稳定运行。由于其X7R介质具备良好的频率响应特性，该电容也广泛用于射频前端模块（RF Front-End Module）中的阻抗匹配网络，例如功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和天线调谐电路中，用于精确调节LC谐振频率，提升信号传输效率与接收灵敏度。
　　在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机等产品中，PCB空间极为有限，0201封装的优势尤为突出。0201B682K250NT可用于音频信号路径的交流耦合、传感器信号调理电路的滤波以及蓝牙/Wi-Fi无线芯片的电源旁路，帮助降低电磁干扰（EMI）并提高信噪比。此外，在高密度HDI（高密度互连）主板上，该器件可用于多层电源平面之间的高频去耦，减少电源反弹噪声（Ground Bounce）和电压波动。
　　工业级便携仪器、医疗监测设备以及物联网（IoT）终端节点也是其典型应用场景。在这些设备中，长期稳定性与环境适应性至关重要，而X7R材料和Ni-barrier端子结构正好满足这些需求。同时，该电容器也可用于DC-DC转换器输出端的滤波电路中，配合其他元件构成π型或LC滤波网络，进一步平滑输出电压纹波。随着电子产品持续向小型化发展，0201B682K250NT将在未来更多紧凑型电子系统中发挥关键作用。

GRM033R71E682KA01D
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