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MCM69F536CTQ10 发布时间 时间:2025/9/3 15:41:40 查看 阅读:8

MCM69F536CTQ10 是一款由Motorola(现为NXP Semiconductors)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为16Mbit(512K x 32位),采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特性。该芯片广泛用于需要高速数据存储和快速访问的应用场景,如网络设备、通信系统和工业控制系统等。

参数

容量:16Mbit (512K x 32位)
  电源电压:3.3V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:165引脚 Thin Quad Flatpack (TQFP)
  数据保持电压:2.0V 至 3.6V
  读取电流(最大):300mA
  待机电流(最大):10mA

特性

MCM69F536CTQ10 具有高速访问时间(10ns),支持异步操作,使其非常适合需要快速数据存取的应用。其采用CMOS技术,能够在低电压下运行,显著降低功耗,同时保持较高的数据稳定性。该芯片支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),确保其在各种恶劣环境下的可靠运行。
  此外,MCM69F536CTQ10 提供165引脚 TQFP 封装,节省空间并增强热管理能力。该SRAM具有独立的片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)信号,便于与各种控制器接口集成。其数据保持电压范围较宽(2.0V 至 3.6V),在低功耗模式下仍可保持数据完整性,适用于电池供电或断电保护系统。
  芯片还具备高速读写能力,支持高频率的突发访问操作,适用于实时数据缓冲和高速缓存应用。MCM69F536CTQ10 的高可靠性、高性能和低功耗特性使其成为工业控制、通信基础设施、测试设备和嵌入式系统等领域的理想选择。

应用

MCM69F536CTQ10 主要用于需要高速数据存储和快速访问的工业和通信设备,如路由器、交换机、基站控制器、数据采集系统、测试测量仪器以及嵌入式处理器模块。其低功耗和高稳定性也使其适用于便携式设备和需要长时间数据保持的系统。

替代型号

MCM69F536CTQ10B4E, MCM69F536CTQ12, CY69F536CTQ10, CY69F536CTQ12

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