时间：2025/10/21 11:32:03
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Si8400AB-B-IS 是 Silicon Labs（芯科科技）推出的一款高性能数字隔离器芯片，广泛应用于需要电气隔离的工业、通信和电源管理系统中。该器件采用 Silicon Labs 专有的 CMOS 工艺与电容隔离技术，提供了优于传统光耦合器的性能表现。Si8400AB-B-IS 属于单通道数字隔离器，具备高抗噪能力、低功耗和高可靠性等优点，适合在恶劣电磁环境中稳定运行。其内部通过高频调制信号跨过集成电容屏障传输数据，从而实现输入与输出之间的电气隔离，同时避免了光耦因老化或温度漂移带来的性能下降问题。该芯片支持高达 150 Mbps 的数据速率，适用于高速数字信号隔离场景。此外，Si8400AB-B-IS 具备增强型隔离等级，符合多项国际安全标准，包括 UL、CSA 和 VDE 认证，确保系统在高压环境下的长期安全性。封装形式为小型 SOIC-8 宽体封装，便于在紧凑型 PCB 设计中使用，并提供足够的爬电距离和电气间隙以满足高电压应用需求。
类型：单通道数字隔离器
通道方向：单向
数据速率：最高 150 Mbps
供电电压（VCC）：2.5V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
隔离耐压：3750 VRMS（持续交流电压）
瞬态共模抑制（CMTI）：>50 kV/μs
传播延迟：典型值 10 ns
脉冲宽度失真：≤5 ns
电源电流（每通道）：典型值 1.5 mA @ 5V, 1 Mbps
安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5（VDE 0884-10）
隔离寿命：>50 年（基于材料特性预测）
封装类型：SOIC-8（宽体，8 引脚）
爬电距离：>8 mm
电气间隙：>8 mm
Si8400AB-B-IS 采用 Silicon Labs 独特的电容隔离架构，在硅基衬底上构建高击穿强度的二氧化硅（SiO2）绝缘层作为信号传输媒介。这种结构不仅实现了优异的电气隔离性能，还显著提升了器件的热稳定性和长期可靠性。相比传统的光耦合器，它没有发光二极管的老化问题，也不受温度变化对电流传输比（CTR）的影响，因此在整个生命周期内保持一致的开关特性。该芯片内置高频载波调制解调电路，将输入端的逻辑电平转换为高频差分信号，穿过电容隔离屏障后在输出端进行解码还原，从而实现高速、低延迟的数据传输。由于采用了差分结构和屏蔽设计，Si8400AB-B-IS 对外部电磁干扰具有极强的免疫力，共模瞬态抗扰度（CMTI）超过 50 kV/μs，能够在变频器、电机驱动等高噪声环境中可靠工作。
该器件支持宽电源电压范围（2.5V～5.5V），可与多种逻辑接口（如 LVTTL、CMOS）直接兼容，无需额外电平转换电路。低功耗设计使其在高速运行时仍能保持较低的静态和动态功耗，非常适合用于便携式设备或对能效要求较高的系统。其传播延迟仅为 10ns 左右，且通道间匹配性好，有利于精确时序控制的应用，如编码器反馈、SPI 通信隔离等。此外，Si8400AB-B-IS 满足 IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 标准中关于增强型隔离的要求，允许在更高工作电压下使用，提升了系统的整体安全性。封装采用 SOIC-8 宽体设计，引脚间距大，增强了 PCB 上的绝缘能力，特别适用于工业自动化、医疗设备和可再生能源系统中的隔离需求。
Si8400AB-B-IS 被广泛用于各类需要信号隔离的电子系统中。在工业自动化领域，常用于 PLC 输入/输出模块、现场总线隔离接口以及传感器信号调理电路，用以防止地环路干扰和高压窜入损坏控制器。在电源管理系统中，该芯片可用于隔离 DC-DC 转换器的反馈控制信号或 MOSFET 驱动信号，提高系统的稳定性与安全性，尤其适用于服务器电源、电信整流器和光伏逆变器等高功率场合。在电机驱动应用中，Si8400AB-B-IS 可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的 PWM 控制信号，确保主功率回路与低压控制侧之间完全电气隔离，提升抗干扰能力和操作人员的安全保障。此外，该器件也适用于医疗电子设备中的数据采集前端，满足医用设备对绝缘保护和漏电流限制的严格要求。在通信系统中，可用于 RS-485、CAN 总线等差分通信接口的隔离，防止远距离布线引入的共模噪声影响主机控制器。得益于其小尺寸封装和高集成度，Si8400AB-B-IS 还适合用于空间受限但需高性能隔离的嵌入式系统设计。
Si8401BC-B-IS
ISO7710
ADM3050BRWZ
