您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI8283CC-ISR

SI8283CC-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 13:33:32 查看 阅读:17

SI8283CC-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)生产的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于功率电子应用中,如逆变器、电机控制、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等场合。该器件基于Silicon Labs的数字隔离技术,提供高隔离电压等级和出色的抗噪能力,确保在恶劣电磁环境下的稳定运行。SI8283CC-ISR 采用8引脚SOIC封装,符合工业级温度范围(-40°C至+125°C),适用于高可靠性系统设计。

参数

供电电压:2.5V 至 5.5V
  输入逻辑电压范围:1.8V 至 5.5V
  输出驱动电流:峰值±4.0A(典型值)
  传播延迟:13ns(最大值)
  上升/下降时间:2.5ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离耐压:5.0 kVRMS(1分钟)
  安全认证:UL、CSA、VDE、CQC认证
  封装形式:8引脚SOIC(宽体)

特性

SI8283CC-ISR 具有出色的电气特性和可靠性,其核心特性包括高驱动能力、低传播延迟和快速的上升/下降时间,能够有效提升功率开关器件(如MOSFET或IGBT)的开关效率并降低开关损耗。
  该芯片采用电容隔离技术,提供高达5 kVRMS的隔离电压,确保初级与次级电路之间的安全隔离,适用于高电压和高噪声环境。同时,其宽输入电压范围(2.5V至5.5V)使其兼容多种控制器接口,增强了设计灵活性。
  SI8283CC-ISR 还具备欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件在非理想条件下工作。此外,该器件具有高共模瞬态抗扰度(CMTI),典型值大于50 kV/μs,确保在高频开关条件下仍能保持信号完整性。
  其封装设计采用宽体SOIC封装,增强了爬电距离和电气安全性,符合IEC 60950-1等安规标准。该芯片还具有低功耗特性,适合用于对能效要求较高的应用场合。

应用

SI8283CC-ISR 主要应用于需要高隔离性能和快速响应的功率电子系统中,例如:
  1. 工业电机驱动与变频器:用于驱动IGBT或SiC MOSFET,实现高效、高可靠性的电机控制。
  2. 太阳能逆变器:在DC-AC转换环节中提供高隔离和快速驱动能力,提高系统效率。
  3. 电动车充电系统与电池管理系统(BMS):用于隔离高压电池与控制电路,保障系统安全。
  4. 服务器电源与通信电源:适用于高密度、高效率的DC-DC转换器拓扑中。
  5. 工业自动化设备:如PLC、伺服驱动器等,用于隔离数字控制信号与功率级电路。
  由于其出色的性能指标和广泛的工作电压范围,SI8283CC-ISR 成为许多高可靠性工业和能源应用中的首选栅极驱动器。

替代型号

ADuM4223-1BRIZ, UCC21520DWPG4, NCP51530BNSP, Si824x系列, MAX22701E

SI8283CC-ISR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI8283CC-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥69.80000剪切带(CT)1,250 : ¥41.49849卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)35kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)50ns,50ns
  • 脉宽失真(最大)5ns
  • 上升/下降时间(典型值)5.5ns,8.5ns
  • 电流 - 输出高、低2.5A,3A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电2.8V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装24-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UL,VDE