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SI8271DB-ISR 发布时间 时间:2025/8/22 6:31:34 查看 阅读:10

SI8271DB-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛应用于电源转换和电机控制领域。该芯片采用Silicon Labs独有的数字隔离技术,提供了出色的抗干扰能力和电气隔离性能,确保在高压和高噪声环境中稳定工作。SI8271DB-ISR 特别适用于驱动MOSFET和IGBT等功率开关器件,常见于开关电源(SMPS)、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中。

参数

类型:栅极驱动器
  通道数:2
  隔离电压:5 kVrms
  工作电压范围:3.0V 至 20V
  最大输出电流:1.5A(峰值)
  传播延迟:85 ns(典型值)
  脉宽失真:<2 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:8引脚 SOIC(宽体)
  认证标准:UL、CSA、IEC 60747-5-2

特性

SI8271DB-ISR 具备多项先进特性,使其在复杂电源系统中表现出色。
  首先,该芯片内置的数字隔离技术基于CMOS和电容耦合,提供高达5 kVrms的隔离电压,支持在高电压环境下安全运行,并有效防止接地回路和噪声干扰。其增强型隔离设计符合IEC 60747-5-2等行业标准,确保长期可靠性。
  其次,SI8271DB-ISR 的双通道设计支持独立控制,适用于半桥、全桥以及推挽式拓扑结构。其输出驱动能力高达1.5A峰值电流,可快速驱动功率MOSFET和IGBT,降低开关损耗并提高系统效率。
  此外,该芯片具备宽工作电压范围(3.0V至20V),适应多种电源设计需求。其低传播延迟(典型值85 ns)和极低的脉宽失真(<2 ns)特性,有助于提高控制精度和系统响应速度。
  SI8271DB-ISR 还集成了多项保护功能,包括欠压锁定(UVLO)和热关断保护,防止在异常工作条件下损坏器件,从而提高系统稳定性与安全性。
  最后,其采用的8引脚SOIC宽体封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,适合高密度和高温应用环境。

应用

SI8271DB-ISR 主要应用于需要高隔离性能和高效驱动能力的电力电子系统。例如,在开关电源(SMPS)中,该芯片可驱动高侧和低侧MOSFET,提高转换效率并降低电磁干扰(EMI)。在光伏逆变器和储能系统中,SI8271DB-ISR 可用于IGBT或SiC MOSFET的驱动,提升系统可靠性和能效。
  此外,该芯片广泛用于电机驱动和变频器控制系统,支持高性能三相逆变器的设计。在工业自动化和伺服驱动器中,SI8271DB-ISR 提供稳定的隔离驱动能力,确保设备在高噪声环境下的稳定运行。
  它还适用于不间断电源(UPS)、电焊机、电动汽车充电系统以及智能电网设备,满足多种高电压和高可靠性要求的应用场景。

替代型号

ADuM4223-ARIZ、HCPL-J312、NCD57001ADR2G

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SI8271DB-ISR参数

  • 现有数量6,643现货
  • 价格1 : ¥31.24000剪切带(CT)2,500 : ¥16.69480卷带(TR)
  • 系列Si827x
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术射频耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)150kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)8ns
  • 上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns
  • 电流 - 输出高、低1.8A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电9.6V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE