时间：2025/8/21 20:15:24
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Si8261BCD-C-IM 是 Silicon Labs 公司推出的一款高性能、单通道隔离式栅极驱动器芯片。该器件采用 Silicon Labs 独有的数字隔离技术，具备高绝缘耐压能力和出色的抗干扰性能，适用于需要高可靠性和高效率的功率转换系统。Si8261BCD-C-IM 特别适用于驱动 MOSFET 和 IGBT 器件，在电源转换、电机控制、工业自动化等领域具有广泛应用。
工作电压范围：2.5V 至 5.5V
输出驱动电流：峰值 4.0A（拉电流/灌电流）
传播延迟：典型值 90ns
脉冲宽度失真（PWD）：< 5ns
隔离电压：2.5kVRMS（符合 UL 认证）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：8 引脚 SOIC
输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
输出端供电电压范围：4.5V 至 25V
共模瞬态抗扰度（CMTI）：＞50kV/μs
Si8261BCD-C-IM 采用 Silicon Labs 的专利数字隔离技术，通过片上电容隔离层实现输入与输出之间的信号传输，确保了高隔离性能和长期可靠性。其高驱动能力使其能够有效驱动大功率 MOSFET 和 IGBT，降低开关损耗并提升系统效率。该芯片具有极低的传播延迟和脉宽失真，确保在高频开关应用中信号的精确传输。此外，其高共模瞬态抗扰度（CMTI）增强了器件在恶劣工业环境中的抗干扰能力。
该芯片还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当输出侧供电电压低于设定阈值时，输出将被自动禁用，以防止功率器件在非理想状态下工作。Si8261BCD-C-IM 的输入端支持 CMOS 和 TTL 逻辑电平，兼容多种控制器接口，提高了设计灵活性。其 8 引脚 SOIC 封装形式便于 PCB 布局并节省空间，适合用于紧凑型功率转换模块。
Si8261BCD-C-IM 主要应用于需要高隔离性能和高可靠性的功率电子系统，如工业电源、电机驱动器、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及智能电网设备。此外，它也可用于高电压 DC-DC 转换器、IGBT 驱动电路以及需要电气隔离的通信电源系统。
UCC21520, ADuM4223, NCD57001, HCPL-J312
