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SI8241CB-D-IS1 发布时间 时间:2025/8/22 1:57:04 查看 阅读:11

SI8241CB-D-IS1 是 Silicon Labs 推出的一款高性能数字隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于需要高隔离电压和高可靠性的电力电子应用。该芯片集成了隔离和驱动功能,能够有效驱动功率 MOSFET 或 IGBT,适用于工业自动化、可再生能源系统、电机控制和开关电源等领域。

参数

供电电压:5V至30V
  输出驱动电流:最高可达4.0A(峰值)
  传播延迟:典型值为90ns
  隔离电压:高达5kVRMS
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  输出电压摆幅:与VDD匹配,最高可达30V
  输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
  封装类型:8引脚宽体SOIC

特性

SI8241CB-D-IS1 采用 Silicon Labs 的专利数字隔离技术,提供出色的电气隔离性能,确保系统安全性和抗干扰能力。
  该芯片的高输出驱动能力使其能够快速驱动高栅极电荷的功率器件,从而降低开关损耗并提高系统效率。
  内置的欠压锁定(UVLO)功能可在电源电压不足时自动关闭输出,防止功率器件工作在非安全状态。
  其低传播延迟和精确的通道匹配特性确保了精确的开关控制,适用于高频开关应用。
  此外,SI8241CB-D-IS1 具有高共模瞬态抗扰度(CMTI),确保在恶劣电磁环境下仍能稳定工作。
  该器件采用8引脚宽体SOIC封装,符合工业标准封装尺寸,便于PCB布局和散热设计。

应用

SI8241CB-D-IS1 主要应用于需要高隔离等级和高效驱动的电力电子系统中,如工业电机驱动器、光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车充电设备和工业自动化控制系统。
  由于其高隔离电压和抗干扰能力,该芯片特别适合用于高电压和高噪声环境中,确保控制侧与功率侧之间的信号安全传输。
  在电机控制领域,该芯片可用于驱动H桥电路中的上下桥臂功率器件,实现高效、可靠的电机控制。
  在开关电源设计中,SI8241CB-D-IS1 可用于驱动半桥或全桥拓扑中的功率MOSFET或IGBT,提升系统效率和稳定性。

替代型号

UCC21520DWPR, ADuM4223-AD, HCPL-J312, LTV-356M

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SI8241CB-D-IS1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格48 : ¥46.64271管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 功能线路驱动器
  • 应用前置放大器
  • 通道数2
  • 接口模拟
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 规格D 类
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC