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HYUF6404D 发布时间 时间:2025/9/1 18:19:43 查看 阅读:9

HYUF6404D是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速存储器解决方案的一部分。该型号主要设计用于高性能计算、网络设备、工业控制及消费类电子产品中,提供较大的存储容量和较快的数据访问速度。作为DRAM芯片,HYUF6404D在系统运行过程中用于临时存储数据,需要定期刷新以维持数据完整性。该芯片采用标准的封装形式,具备良好的兼容性,适用于多种主板和系统架构。

参数

类型:DRAM
  容量:64Mbit
  组织结构:4M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  访问时间:5.4ns(最大)
  刷新周期:64ms

特性

HYUF6404D是一款高速、低功耗的DRAM存储器芯片,其主要特性包括高容量存储、宽电压工作范围以及适应高温环境的能力。该芯片的访问时间仅为5.4ns,支持快速的数据读写操作,适用于对性能要求较高的应用场景。此外,其支持的电压范围为2.3V至3.6V,使其在不同电源条件下均能稳定运行,增强了系统的兼容性与灵活性。
  HYUF6404D采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装技术,具备良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和部分商业级应用环境。芯片内部集成自动刷新机制,支持64ms刷新周期,确保数据在断电或低功耗模式下仍能保持一定时间的完整性。此外,该芯片具有较高的抗干扰能力和稳定性,能够满足复杂电子系统对存储器的高可靠性需求。

应用

HYUF6404D广泛应用于需要大容量临时存储的电子系统中,包括工业控制设备、网络路由器与交换机、视频监控系统、数字电视、打印机及其他嵌入式系统。其高速访问特性使其特别适用于需要频繁读写数据的场景,如图像处理、缓存存储和数据缓冲等。此外,由于其宽温范围和高可靠性,该芯片也常用于恶劣环境下的工业设备和通信基础设施中。

替代型号

HYUF6404B, HYUF6404C, CY7C1041B3-10ZSXC

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