HYUF6404D 时间：2025/9/1 18:19:43 阅读：26

HYUF6404D是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高速存储器解决方案的一部分。该型号主要设计用于高性能计算、网络设备、工业控制及消费类电子产品中，提供较大的存储容量和较快的数据访问速度。作为DRAM芯片，HYUF6404D在系统运行过程中用于临时存储数据，需要定期刷新以维持数据完整性。该芯片采用标准的封装形式，具备良好的兼容性，适用于多种主板和系统架构。

参数

类型：DRAM
　　容量：64Mbit
　　组织结构：4M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　刷新周期：64ms

特性

HYUF6404D是一款高速、低功耗的DRAM存储器芯片，其主要特性包括高容量存储、宽电压工作范围以及适应高温环境的能力。该芯片的访问时间仅为5.4ns，支持快速的数据读写操作，适用于对性能要求较高的应用场景。此外，其支持的电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同电源条件下均能稳定运行，增强了系统的兼容性与灵活性。
　　HYUF6404D采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，具备良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和部分商业级应用环境。芯片内部集成自动刷新机制，支持64ms刷新周期，确保数据在断电或低功耗模式下仍能保持一定时间的完整性。此外，该芯片具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够满足复杂电子系统对存储器的高可靠性需求。

应用

HYUF6404D广泛应用于需要大容量临时存储的电子系统中，包括工业控制设备、网络路由器与交换机、视频监控系统、数字电视、打印机及其他嵌入式系统。其高速访问特性使其特别适用于需要频繁读写数据的场景，如图像处理、缓存存储和数据缓冲等。此外，由于其宽温范围和高可靠性，该芯片也常用于恶劣环境下的工业设备和通信基础设施中。