SI823H5CD-IS3 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片。该芯片专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件设计,具有高隔离电压、快速响应时间和强抗干扰能力。SI823H5CD-IS3 采用Silicon Labs专利的数字隔离技术,确保在高压和高频环境下提供稳定可靠的信号传输。适用于工业自动化、电机控制、电源转换、可再生能源系统等需要电气隔离的应用场景。
工作电压:2.5V - 5.5V
输出驱动电流:0.5A(峰值)
最大工作频率:1MHz
传播延迟:80ns(最大)
脉宽失真:<2ns
输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
输出通道数:2(独立双通道)
隔离耐压:5kVRMS
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
SI823H5CD-IS3 的核心特性之一是其基于电容隔离技术的数字隔离器,能够在输入和输出之间提供高达5kVRMS的隔离电压,确保在高压应用中的安全性与稳定性。该芯片支持高达1MHz的工作频率,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、谐振变换器和逆变器。
其双通道设计支持独立控制两个功率器件,传播延迟低至80ns,脉宽失真极小,确保了精确的时序控制和减少交叉导通风险。此外,该芯片具备较强的抗电磁干扰(EMI)能力,在工业环境中仍能保持稳定工作。
SI823H5CD-IS3 还具备宽输入电压范围(2.5V至5.5V),兼容多种逻辑电平,适用于不同类型的控制器接口。内置的欠压锁定(UVLO)保护机制可在电源电压不足时自动关闭输出,防止功率器件误动作。该芯片采用8引脚SOIC封装,便于PCB布局并节省空间。
SI823H5CD-IS3 主要用于需要电气隔离的功率电子系统中。典型应用包括电力电子变换器(如DC-DC、AC-DC、DC-AC)、工业电机驱动、伺服控制系统、光伏逆变器、电动汽车充电模块、UPS不间断电源、智能电网设备等。
在电机控制应用中,SI823H5CD-IS3 可用于驱动半桥或全桥结构中的上下桥臂功率MOSFET或IGBT,实现高效、可靠的开关控制。在可再生能源系统中,该芯片可用于光伏逆变器的功率开关驱动,提高系统效率和稳定性。
此外,由于其优异的抗干扰能力和高频特性,SI823H5CD-IS3 也适用于高频电源转换器、谐振变换器、数字电源管理系统等高端应用。其紧凑的封装和易用性也使其成为工业自动化控制系统中理想的栅极驱动解决方案。
ADuM4223-1BRZ, UCC21520DWPG4, NCP51530BDR2G