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SI823H5BD-IS3 发布时间 时间:2025/8/21 13:04:28 查看 阅读:92

SI823H5BD-IS3是一款由Silicon Labs公司生产的高性能隔离式双通道栅极驱动器芯片,广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该芯片采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,提供高可靠性、高隔离电压以及低传播延迟等优势。SI823H5BD-IS3采用8引脚SOIC封装,工作温度范围为-40°C至+125°C,适合工业和汽车电子应用。

参数

工作电压范围:2.5V至5.5V
  隔离耐压:5kVRMS
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  输出驱动能力:最大灌电流/拉电流为5A/5A
  传播延迟:典型值为55ns
  上升/下降时间:典型值为9ns/8ns
  封装类型:8引脚SOIC
  安全认证:UL、CSA、IEC、EN标准认证

特性

SI823H5BD-IS3具有多个显著的技术特性,首先是其基于电容隔离技术的数字隔离器,提供高达5kVRMS的隔离电压,确保在高压环境下仍能安全稳定运行。其次,该器件具备优异的时序性能,包括低至55ns的典型传播延迟和快速的上升/下降时间(9ns/8ns),从而减少开关损耗,提高系统效率。SI823H5BD-IS3的输入端兼容2.5V至5.5V逻辑电平,增强了与多种控制器的兼容性。此外,该芯片具备较强的抗电磁干扰(EMI)能力,能够在复杂的工业环境中稳定工作。其内置的故障保护机制(如欠压锁定和热关断)进一步提升了器件的可靠性和系统安全性。该芯片还采用紧凑的8引脚SOIC封装,便于PCB布局并节省空间。

应用

SI823H5BD-IS3主要应用于需要电气隔离的功率电子系统,如电机驱动器、工业自动化设备、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电器、不间断电源(UPS)以及电源管理模块。在这些应用中,SI823H5BD-IS3能够高效驱动MOSFET、IGBT等功率开关器件,并确保信号和能量传输的可靠性和安全性。其高隔离电压和高驱动能力使其特别适用于高压、高频开关场合。

替代型号

ADuM4223-AD, UCC21520DW

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SI823H5BD-IS3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥57.16000管件
  • 系列Si823Hx
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)125kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)30ns,30ns
  • 脉宽失真(最大)5ns
  • 上升/下降时间(典型值)12ns,12ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低4A,4A
  • 电流 - 峰值输出6A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电5.5V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装14-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UL,VDE