时间：2025/8/2 2:22:08
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PT4515CETOW 是一款由 Polytron Technologies（普利通）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率开关应用设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备。PT4515CETOW 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有优异的热稳定性和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值）
功耗（Pd）：3.2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
PT4515CETOW 具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。其次，该器件具备较高的电流承载能力，在10A连续漏极电流下仍能保持稳定工作，适用于中高功率应用。
此外，PT4515CETOW 采用了先进的沟槽式结构技术，使得器件在高频开关应用中表现出色，具备快速开关能力和较低的开关损耗。其 ±20V 的栅源电压耐受能力也增强了在复杂电源环境下的可靠性。
在热管理方面，TO-252 封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于多种工业级应用场景。同时，PT4515CETOW 具备良好的抗雪崩击穿能力，提升了在高压尖峰环境下的安全性和耐用性。
PT4515CETOW 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于需要高效率和高稳定性的电源转换系统中。在电动车、储能系统和工业控制设备中，PT4515CETOW 也常被用于功率开关和电流控制电路中。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDS4410, AOD4144
