型号：SI823H3CD-IS3
　　通道数：2通道（双通道）
　　隔离电压（Viso）：3.75 kVRMS
　　工作电压（VDD）：2.5V 至 5.5V
　　输出驱动电流：源电流/灌电流各为 1.8A / 2.8A
　　传播延迟：典型值 85ns
　　上升/下降时间：典型值 10ns
　　输入逻辑类型：兼容CMOS/TTL
　　封装类型：8引脚SOIC宽体封装（DW）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　安全认证：UL、CSA、TüV、CE等

SI823H3CD-IS3具备多项先进特性，确保其在复杂电磁环境中的稳定运行。首先，其采用了Silicon Labs专利的数字隔离技术，提供高达3.75 kVRMS的增强型隔离能力，确保系统的安全性和可靠性。该芯片的双通道设计支持独立控制，适用于半桥或全桥拓扑结构中的高低侧驱动。
　　在性能方面，SI823H3CD-IS3具有快速的传播延迟（典型值85ns）和极短的上升/下降时间（10ns），有助于提高功率转换效率并降低开关损耗。其输出驱动能力强，源电流和灌电流分别可达1.8A和2.8A，适用于驱动大功率MOSFET和IGBT。
　　此外，该芯片具有宽输入电压范围（2.5V至5.5V），支持与多种控制器和逻辑电平兼容，增强了设计的灵活性。其封装采用8引脚SOIC宽体设计，符合工业级EMC/EMI抗干扰标准，并通过了多项国际安全认证，适用于高可靠性应用场景。
　　SI823H3CD-IS3还内置故障保护机制，如欠压锁定（UVLO），以防止在电源电压不足时误操作，提高系统的稳定性和安全性。

SI823H3CD-IS3广泛应用于需要高隔离性能和高可靠性的功率电子系统中。例如，在工业电机驱动器和变频器中，该芯片可作为MOSFET或IGBT的隔离驱动器，实现高效的功率控制；在光伏逆变器和储能系统中，它可用于提高能量转换效率并确保电气安全隔离；在电动汽车充电设备中，该芯片能够提供可靠的隔离驱动能力，满足严苛的环境要求。
　　此外，该芯片也适用于开关电源（SMPS）、UPS不间断电源、电焊机、感应加热设备和智能电网系统等应用。其高速响应能力和高抗干扰性能，使其在高频开关应用中表现优异，同时有助于简化外围电路设计并提升系统整体稳定性。

ADuM4223-AD, HCPL-J312, UCC21520, IRS2104S