类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：25A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-220FP、TO-3P等

FDP25N60具有多项优良的电气和物理特性，适用于高效率功率转换系统。
　　首先，该MOSFET的最大漏源电压（Vds）为600V，支持在高压环境中运行，适用于AC-DC电源转换器和高压逆变器等应用。其最大漏极电流为25A，能够承受较高的负载电流，适合用于中高功率的电源系统。
　　其次，FDP25N60的导通电阻Rds(on)典型值为0.22Ω，该参数较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件的栅源电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，能够在较高的栅极驱动电压下稳定工作。
　　此外，该MOSFET的最大功耗为180W，具备良好的热稳定性，适合在高功率密度的电源系统中使用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
　　最后，FDP25N60采用多种封装形式，包括TO-220、TO-220FP和TO-3P，便于根据具体应用需求进行散热设计和PCB布局。

FDP25N60主要应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器以及LED照明电源等。由于其高耐压、大电流能力和低导通电阻特性，该器件在电源转换系统中能够有效提升整体效率并减少发热。在工业自动化系统中，它可用于控制大功率负载，如直流电机和电磁继电器。此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器、电动车充电器以及家电中的功率控制电路。

STP25N60, IRFGB40N60, FDPF25N60, FQA25N60