2N836是一种NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用TO-3金属封装,具有良好的热稳定性和高频性能,适用于早期的模拟和数字电路设计。2N836虽然在现代电子设计中已经较少使用,但在一些老设备或特定应用场景中仍然具有实用价值。
晶体类型:NPN型BJT
最大集电极电流(Ic):500 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):40 V
最大基极电流(Ib):50 mA
最大耗散功率(Ptot):10 W
过渡频率(fT):50 MHz
封装形式:TO-3金属封装
2N836晶体管具有良好的高频响应和较高的电流放大系数(β),其过渡频率可达50 MHz,适用于中高频放大电路。该器件采用TO-3封装,具备良好的散热性能,能够在较高的功耗下稳定工作。2N836的基极-发射极电压(Vbe)较低,通常在0.6V至0.7V之间,有助于提高电路效率。此外,其较大的集电极电流容量使其适用于中功率开关电路。
在电气特性方面,2N836的电流增益β通常在50至150之间,具体数值取决于工作电流和温度条件。该晶体管的击穿电压较高,能够承受一定的过压情况,适用于一些对可靠性要求较高的工业设备和老式通信系统。
2N836常用于早期的高频放大器、音频放大器和开关电路中。它在老式收音机、电视机和通信设备中较为常见,也可用于驱动继电器、LED和小型电机等负载。此外,该晶体管也适用于教学实验和原型开发,作为基础电子电路中的放大和开关元件。
2N835, 2N837, 2N838