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SI8237BB-B-IS1R 发布时间 时间:2025/8/21 18:07:39 查看 阅读:68

Si8237BB-B-IS1R 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,专为驱动高功率开关器件如MOSFET和IGBT而设计。该芯片采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,提供了高达5 kVRMS的隔离电压,适用于需要高可靠性和高效率的工业与电力电子系统。

参数

工作电压范围:2.5V至5.5V
  输出驱动电流:±5 A(峰值)
  传播延迟:60 ns(最大)
  输出上升/下降时间:8 ns(典型值)
  隔离耐压:5 kVRMS
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  电源电压范围(VDD):2.5V至5.5V
  输出电压范围:15V至30V(适用于IGBT/MOSFET栅极驱动)

特性

Si8237BB-B-IS1R具有出色的抗噪声能力和高隔离等级,确保在恶劣的工业环境中稳定运行。
  其内部集成了两个独立的高速通道,分别用于高边和低边的功率器件驱动,具有低传播延迟和快速上升/下降时间,支持高频开关操作。
  该器件采用CMOS兼容输入接口,方便与各种控制器(如MCU或DSP)连接,同时具备欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在电源不足时误动作。
  此外,Si8237BB-B-IS1R还具有高共模瞬态抗扰度(CMTI),可达到100 kV/μs以上,有效抵御高dv/dt环境下的干扰。
  芯片封装设计紧凑,采用16引脚SOIC封装,便于PCB布局并节省空间。

应用

Si8237BB-B-IS1R广泛应用于需要高隔离性能的功率电子系统中,如工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统和电机控制模块。
  在这些应用中,它能够高效地驱动高边和低边的MOSFET或IGBT,提高系统的整体效率和可靠性。
  此外,该芯片也适用于医疗设备、智能电网和工业自动化等对安全性要求较高的场景。
  由于其出色的隔离能力和抗噪性能,Si8237BB-B-IS1R也被广泛用于需要符合IEC 60747-5-2或UL 1577等国际安全标准的设备中。

替代型号

Si8233BD-C-ISR、ADuM4223-1BRIZ、HCPL-J312、TLP250

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SI8237BB-B-IS1R参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低250mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电9.4V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE