时间：2025/9/2 10:27:02
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HY27UV08AG5M-TPCB 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，主要用于嵌入式存储应用。该芯片具有8位数据总线接口，支持高密度存储，适用于需要可靠性和高性能的电子设备。
型号：HY27UV08AG5M-TPCB
类型：NAND闪存
容量：512MB
位宽：8位
封装类型：TSOP
电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HY27UV08AG5M-TPCB 是一款高性能的NAND闪存芯片，专为需要大容量存储和高速数据读写的应用而设计。该芯片采用8位并行接口，支持快速的数据传输速率，能够满足嵌入式系统和便携式设备对存储性能的高要求。其容量为512MB，适用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，确保了在不同电源条件下的稳定运行。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，使其适用于工业级环境和高温应用场合。TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的电气性能和热稳定性，有助于提高整体系统的可靠性。
HY27UV08AG5M-TPCB 还集成了多种先进的技术，如错误校正码（ECC）功能，能够在数据读取过程中检测和纠正错误，从而提高数据存储的可靠性。此外，该芯片支持坏块管理，能够在出厂时标记坏块，并在使用过程中动态管理坏块，延长了存储设备的使用寿命。
HY27UV08AG5M-TPCB 主要应用于需要高可靠性和大容量存储的嵌入式系统，如工业控制设备、医疗设备、通信设备和便携式电子产品。其广泛的应用场景还包括数字电视、机顶盒、车载导航系统和智能卡终端设备等。由于其高性能和稳定性，该芯片在各类电子设备中扮演着重要的存储角色。
K9F5608U0C-PCB0, TC58NVG1S3BFT00
