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HY27UV08AG5M-TPCB 发布时间 时间:2025/9/2 10:27:02 查看 阅读:9

HY27UV08AG5M-TPCB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,主要用于嵌入式存储应用。该芯片具有8位数据总线接口,支持高密度存储,适用于需要可靠性和高性能的电子设备。

参数

型号:HY27UV08AG5M-TPCB
  类型:NAND闪存
  容量:512MB
  位宽:8位
  封装类型:TSOP
  电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

HY27UV08AG5M-TPCB 是一款高性能的NAND闪存芯片,专为需要大容量存储和高速数据读写的应用而设计。该芯片采用8位并行接口,支持快速的数据传输速率,能够满足嵌入式系统和便携式设备对存储性能的高要求。其容量为512MB,适用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
  该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,确保了在不同电源条件下的稳定运行。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,使其适用于工业级环境和高温应用场合。TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的电气性能和热稳定性,有助于提高整体系统的可靠性。
  HY27UV08AG5M-TPCB 还集成了多种先进的技术,如错误校正码(ECC)功能,能够在数据读取过程中检测和纠正错误,从而提高数据存储的可靠性。此外,该芯片支持坏块管理,能够在出厂时标记坏块,并在使用过程中动态管理坏块,延长了存储设备的使用寿命。

应用

HY27UV08AG5M-TPCB 主要应用于需要高可靠性和大容量存储的嵌入式系统,如工业控制设备、医疗设备、通信设备和便携式电子产品。其广泛的应用场景还包括数字电视、机顶盒、车载导航系统和智能卡终端设备等。由于其高性能和稳定性,该芯片在各类电子设备中扮演着重要的存储角色。

替代型号

K9F5608U0C-PCB0, TC58NVG1S3BFT00

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