制造商：Silicon Labs
　　产品系列：Si8235
　　通道数：2
　　方向：2 x 单向
　　数据速率：150 Mbps
　　隔离电压：5000 Vrms
　　工作电压：2.5V ~ 5.5V (VDD1), 2.5V ~ 5.5V (VDD2)
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：SOIC-8D
　　绝缘材料：二氧化硅 (SiO2)
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：100 kV/μs
　　传播延迟：18 ns 最大值
　　脉冲宽度失真：3 ns 典型值
　　电源电流：2.5 mA 每通道（典型值）
　　认证：UL1577，IEC/EN/DIN EN 60747-17

SI8235AB-D-IS 采用基于电容隔离的先进 CMOS 技术，实现了高速、高可靠性的信号隔离能力。其核心隔离机制利用了高击穿强度的二氧化硅（SiO2）作为绝缘层，构建在硅晶圆上的微型电容器来传输高频调制信号，从而实现输入与输出之间的电气隔离。这种结构相较于传统的光电耦合器具有显著优势，包括更高的数据传输速率、更长的使用寿命以及更好的温度稳定性。该器件的数据速率可达 150 Mbps，使其能够支持高速数字通信协议如 SPI、I2C、UART 等，满足现代控制系统对实时性和响应速度的要求。同时，其极低的传播延迟（最大 18 ns）和微小的脉冲宽度失真（典型值 3 ns）确保了信号完整性，避免了因延迟不一致导致的时序错误，特别适用于精确控制应用，例如电机驱动中的 PWM 信号隔离传输。
　　该芯片具备出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值高达 100 kV/μs，意味着即使在存在剧烈电压波动或电磁干扰的工业环境中，也能有效防止误触发或信号畸变，保障系统的稳定运行。这一特性对于变频器、逆变器和开关电源等高噪声环境下的应用至关重要。此外，SI8235AB-D-IS 内部集成了故障保护功能，在输入端开路或无信号状态下，输出端可配置为默认高电平或低电平状态，提升了系统安全性。其双通道独立设计允许灵活配置信号流向，两个通道均可单独设置方向，增强了使用灵活性。
　　从功耗角度看，SI8235AB-D-IS 每通道典型电源电流仅为 2.5 mA，远低于传统光耦的功耗水平，有助于降低整体系统功耗，提升能效。它支持宽电源电压范围（2.5V 至 5.5V），兼容 3.3V 和 5V 逻辑系统，便于与不同类型的微控制器、FPGA 或 DSP 接口连接。SOIC-8D 宽体封装不仅提供了足够的爬电距离和电气间隙，还通过内部增强型绝缘结构满足了 UL 和 IEC 标准对加强绝缘的要求。整体而言，SI8235AB-D-IS 凭借其高速、低延迟、高抗扰性、低功耗和高集成度等特点，成为工业自动化、新能源发电、电动汽车充电系统等领域中理想的数字隔离解决方案。

SI8235AB-D-IS 被广泛用于需要电气隔离的各种高性能电子系统中。在工业自动化领域，常用于 PLC（可编程逻辑控制器）、工业通信接口（如 RS-485、CAN 隔离）、数字 I/O 模块以及传感器信号隔离，以防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在电源管理系统中，该器件可用于隔离式 DC-DC 转换器的反馈回路、AC-DC 电源的 PWM 控制信号传输以及数字电源中的监控信号隔离，提高系统的效率和安全性。在电机驱动和逆变器应用中，SI8235AB-D-IS 常用于隔离来自微控制器的 PWM 信号，确保功率级与控制级之间的安全隔离，防止高压侧故障影响低压控制电路。此外，在太阳能逆变器、风力发电控制系统和储能系统中，该芯片也发挥着关键作用，用于隔离串行通信总线和状态监测信号，保障设备在恶劣环境下的可靠运行。在电动汽车充电桩中，SI8235AB-D-IS 可用于隔离充电控制信号和通信链路，满足高压安全规范。同时，它也适用于医疗电子设备中对绝缘等级要求较高的信号传输场合，以及测试测量仪器中用于隔离被测系统与主机之间的数据通路，防止干扰和损坏。凭借其高可靠性、高速度和强抗干扰能力，SI8235AB-D-IS 在现代电力电子和工业控制架构中扮演着不可或缺的角色。

SI8235BB-D-ISR
　　SI8235BC-D-IS
　　ISO7221ADR