型号：SI8235AB-C-ISR
　　封装类型：16-SOIC
　　工作电压范围：2.5V至5.5V
　　最大输出电流：1.5A（峰值）
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
　　传播延迟：典型值150ns
　　上升/下降时间：典型值20ns
　　隔离电压：2.5kVRMS
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　输出类型：双路非反相输出
　　最大开关频率：500kHz
　　电源电流：典型值5mA
　　输出驱动能力：高侧和低侧均具备独立驱动能力

SI8235AB-C-ISR的核心特性之一是其基于电容式隔离技术的高可靠性隔离结构，能够在高电压和高噪声环境下提供稳定的信号传输。该芯片的输入端与输出端之间具备高达2.5kVRMS的隔离电压，能够有效防止高压回路对控制电路的干扰和损坏，提高系统的安全性和稳定性。
　　此外，SI8235AB-C-ISR具备快速的传播延迟和上升/下降时间，典型传播延迟仅为150ns，上升和下降时间均为20ns，支持高达500kHz的开关频率，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器等。
　　该芯片还具有宽输入电压范围（2.5V至5.5V），使其能够与多种微控制器和逻辑电路兼容，同时具备较低的静态电流（典型值5mA），有助于降低整体系统的功耗。SI8235AB-C-ISR的输出级具有1.5A的峰值电流驱动能力，能够有效驱动功率MOSFET或IGBT器件，确保开关动作的快速和可靠。
　　在保护功能方面，SI8235AB-C-ISR内置欠压锁定（UVLO）功能，当供电电压低于设定阈值时，输出将被自动禁用，以防止在不安全电压下运行。此外，该芯片还具有高抗噪能力和热关断保护功能，确保在各种恶劣工业环境下稳定运行。

SI8235AB-C-ISR主要应用于需要高隔离性能和高可靠性的电力电子系统中，如工业电机驱动、变频器、光伏逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）以及智能电网设备等。在电机控制应用中，SI8235AB-C-ISR可以作为半桥或全桥拓扑结构中的栅极驱动器，用于驱动功率MOSFET或IGBT，实现高效、快速的开关控制。
　　由于其高隔离电压和抗干扰能力，SI8235AB-C-ISR也非常适合用于需要电气隔离的通信接口电路、隔离式DC-DC转换器以及各类工业自动化控制系统。在新能源汽车领域，该芯片可应用于车载充电器（OBC）和DC-DC变换器中，提供安全可靠的隔离驱动方案。

Si8230BB-C-ISR, UCC21200, ADuM4223-1, HCPL-J312, ISO550