CL31F475ZOHNNNE 是一款基于 MOSFET 技术的高可靠性功率半导体器件,主要用于开关和保护电路。该型号属于 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)旗下的逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管系列,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中的负载开关、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
最大漏源电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):47A
栅极阈值电压(Vgs(th)):1.2V 至 3V
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,在 Vgs=10V 条件下)
总功耗(Ptot):1.2W
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263 (D2PAK)
CL31F475ZOHNNNE 具有非常低的导通电阻,可以有效减少功率损耗,提高系统效率。
它支持逻辑电平驱动,兼容标准 CMOS 和 TTL 输出信号,简化了设计复杂度。
具备较高的雪崩耐量能力,增强了在过流或短路情况下的鲁棒性。
其快速开关特性有助于降低开关损耗,并能适应高频应用需求。
此外,此器件还采用了无铅封装,符合环保 RoHS 标准。
该芯片适用于多种电力电子应用场景,例如 DC-DC 转换器中的主开关元件、负载开关、电机驱动电路中的功率级组件、电池管理系统中的保护开关以及太阳能逆变器内的功率调节模块等。由于其卓越的性能和稳定性,也常见于汽车电子领域中的各类控制单元中。
FDP5570N, IRFZ44N, AO3400A