型号: SI8235AB-C-IS1
　　封装: 8引脚 SOIC（宽体）
　　隔离电压: 5 kVRMS
　　工作温度范围: -40°C 至 +125°C
　　电源电压范围（VDD）: 2.5V 至 5.5V
　　输入信号类型: CMOS/TTL 兼容
　　最大传播延迟: 160 ns
　　上升/下降时间: 10 ns（典型值）
　　输出电流能力: 高侧和低侧均为 4.0 A（峰值）
　　绝缘材料等级: UL 认证（符合 60950-1 标准）
　　安全认证: UL、VDE、CQC、CSA

SI8235AB-C-IS1 是一款基于数字隔离技术的高性能双通道栅极驱动器。该芯片内部集成了两个独立的隔离通道，分别用于驱动高侧和低侧的功率开关器件（如MOSFET或IGBT）。其主要特点包括：5 kVRMS 的高隔离电压等级，使其适用于高电压隔离应用；支持宽输入电源电压范围（2.5V 至 5.5V），增强了与不同控制器的兼容性；具有快速的传播延迟和上升/下降时间，有助于提高开关效率并降低开关损耗；输出驱动能力强，峰值电流可达4A，能够有效驱动大功率器件。
　　此外，SI8235AB-C-IS1 还具备较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境下稳定工作。其宽体8引脚SOIC封装结构不仅节省空间，而且符合工业级温度范围（-40°C 至 +125°C）要求，适用于各种恶劣工业环境。芯片还集成了多种保护机制，如欠压锁定（UVLO）和交叉传导保护，确保系统在异常情况下的安全运行。
　　该器件通过了UL、VDE、CQC和CSA等多项国际安全认证，满足IEC 60950-1等标准要求，适合用于需要高可靠性和安全性的系统中。

SI8235AB-C-IS1 主要用于需要高隔离性能和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括：DC-AC逆变器、太阳能逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电系统等。由于其高隔离电压和强大的驱动能力，该芯片特别适合用于高电压、高频率的开关电路中。

Si8230BC-C-Is, Si8262BC-C-Is1, UCC21520, ADuM4223