SI8235-B-IM 时间：2025/12/27 6:39:20 阅读：22

Si8235-B-IM是一款由Silicon Labs（芯科科技）推出的高性能、单通道隔离式栅极驱动器，专为驱动功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率开关器件而设计。该器件采用Silicon Labs独有的CMOS工艺结合电容隔离技术，提供了出色的电气隔离性能和抗噪声能力，适用于工业电机控制、开关电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及工业自动化等高可靠性应用环境。Si8235-B-IM集成了一个高电流输出级，能够提供高达4.0A的峰值拉电流和6.0A的峰值灌电流，确保对功率器件进行快速、高效的开关控制，从而降低开关损耗并提升系统效率。该芯片支持高达1MHz的开关频率，具备低传播延迟和优异的通道间匹配特性，有助于实现精确的时序控制。此外，Si8235-B-IM内置了宽范围的供电电压检测功能，支持欠压锁定（UVLO）保护，确保在电源不稳定时安全关断功率器件。其隔离耐压能力达到5kVRMS，符合UL1577、IEC/EN/DIN VDE 0884-10等国际安全标准，增强了系统的安全性和可靠性。封装方面，Si8235-B-IM采用8引脚宽体SOIC封装，具有较大的爬电距离和电气间隙，适合在高电压、高噪声工业环境中使用。

参数

型号：Si8235-B-IM
　　通道类型：单通道
　　输出驱动类型：图腾柱
　　峰值输出电流：4.0A（拉电流），6.0A（灌电流）
　　供电电压（VDD1）：2.7V 至 5.5V
　　供电电压（VDD2）：15V 至 30V（最大35V）
　　隔离耐压：5000 VRMS（1分钟）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　传播延迟：典型值60ns
　　脉冲宽度失真：≤15ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs
　　绝缘材料：聚酰亚胺电容隔离层
　　封装类型：8-SOIC宽体
　　安全认证：UL1577、IEC/EN/DIN VDE 0884-10增强隔离

特性

Si8235-B-IM的核心优势在于其先进的电容隔离技术和高驱动能力，能够在恶劣的电磁干扰环境下保持稳定可靠的信号传输。其基于CMOS的数字隔离架构取代了传统光耦中的LED和光电晶体管，避免了光耦老化、速度慢和温度漂移等问题，显著提升了长期工作的稳定性和寿命。该器件的高CMTI（共模瞬态抗扰度）性能使其在高dv/dt环境下仍能准确传递控制信号，防止因噪声引起的误触发，保障系统安全运行。输出级设计优化了上升和下降时间，典型值分别低至15ns和10ns，可有效减少功率器件的开关过渡时间，提高整体转换效率。
　　该芯片集成了全面的保护机制，包括输入侧和输出侧的欠压锁定（UVLO）功能，当VDD1或VDD2电压低于设定阈值时，输出将被强制拉低，防止功率器件在非正常电压下工作导致损坏。此外，Si8235-B-IM具备高温关断保护功能，在芯片内部温度超过安全限值时自动关闭输出，进一步提升系统鲁棒性。其逻辑输入兼容3.3V和5V CMOS/TTL电平，便于与各种微控制器、DSP或PWM控制器直接接口，无需额外电平转换电路。得益于集成化设计，Si8235-B-IM减少了外围元件数量，简化了PCB布局，提高了系统可靠性并降低了整体成本。同时，其高隔离电压和宽体封装满足工业级绝缘要求，适用于需要功能隔离或安全隔离的应用场景。

应用

Si8235-B-IM广泛应用于各类需要高可靠性隔离驱动的电力电子系统中。在工业电机驱动领域，它用于三相逆变器中驱动IGBT或MOSFET模块，实现高效精准的电机控制。在可再生能源系统如光伏逆变器和储能变流器中，该芯片用于高频DC-AC或DC-DC转换环节，确保能量高效转换并满足电网连接的安全隔离要求。在电动汽车相关设备中，如车载充电机（OBC）和直流充电桩，Si8235-B-IM为SiC或GaN功率器件提供快速、强驱动能力，支持高频率、高效率拓扑结构。此外，在工业电源、UPS不间断电源和焊接设备中，该器件用于半桥或全桥拓扑的功率开关驱动，提升系统动态响应和稳定性。其高抗噪能力和宽温度范围也使其适用于严苛工业环境下的PLC模块、伺服驱动器和数字电源控制器等应用。凭借其高性能和高安全性，Si8235-B-IM成为现代电力电子系统中理想的隔离栅极驱动解决方案。