时间：2025/12/27 8:48:38
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2SD669G-C-AB3-R是一款由东芝（Toshiba）公司生产的NPN型双极性晶体管（BJT），广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用小型表面贴装功率封装（如TO-252或DPak），适合在高密度印刷电路板上使用，尤其适用于需要中等功率处理能力的场合。2SD669G-C-AB3-R具有良好的热稳定性和较高的电流增益，能够在较宽的温度范围内稳定工作，因此在消费电子、工业控制、电源管理和照明驱动等领域得到了广泛应用。该型号中的后缀“-C”表示其为特定极性与引脚排列的版本，“AB3”可能代表卷带包装规格，而“-R”通常表示产品为卷带包装（tape and reel），适用于自动化贴片生产流程。作为一款通用功率晶体管，2SD669G-C-AB3-R在设计上优化了饱和电压与开关速度之间的平衡，使其在开关电源、继电器驱动、LED驱动以及DC-DC转换器中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：400V
集电极-基极电压（VCBO）：400V
发射极-基极电压（VEBO）：7V
集电极电流（IC）：1.5A
集电极峰值电流（ICM）：3A
功耗（PC）：25W
直流电流增益（hFE）：120～480（在IC=150mA时）
过渡频率（fT）：150MHz
工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
封装形式：TO-252 (DPak)
