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SI8233BB-AM1 发布时间 时间:2025/8/21 17:40:43 查看 阅读:91

Si8233BB-AM1是Silicon Labs公司推出的一款高性能隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于驱动功率MOSFET和IGBT器件。该芯片采用了Silicon Labs的数字隔离技术,具有高绝缘耐压能力、优异的抗噪性能以及快速的传输延迟特性,适用于工业电机控制、电源转换、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等应用。

参数

类型:栅极驱动器
  隔离技术:数字隔离
  通道数:2(双通道)
  输出驱动能力:峰值电流4.0A(典型)
  电源电压范围:VDD1 = 2.5V至5.5V,VDD2 = 15V至30V
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  绝缘耐压:5.0 kVrms(1分钟)
  安全认证:UL、CSA、IEC 60747-5-2、IEC 61010-1
  传输延迟:典型值为50ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):大于100kV/μs
  输出状态:高/低电平有效
  封装类型:16引脚SOIC宽体封装

特性

Si8233BB-AM1具有多项优异特性,确保其在复杂电磁环境下稳定运行。首先,其采用的数字隔离技术相较于传统光耦隔离,具有更长的使用寿命、更高的稳定性和更低的温度漂移。其次,高驱动能力使其能够有效地驱动高功率MOSFET和IGBT器件,适用于高频率开关应用。此外,该器件具备出色的共模瞬态抗扰度(CMTI),能够在高噪声环境中保持信号完整性,避免误触发。
  该芯片还内置欠压保护(UVLO)功能,确保在电源电压不足时自动关闭输出,防止功率器件因驱动电压不足而损坏。其宽体封装设计增强了爬电距离和间隙距离,提高了在高电压应用中的安全性。Si8233BB-AM1的双通道独立隔离结构,使其适用于半桥或全桥拓扑结构中的高端和低端驱动,广泛应用于DC-AC逆变器、DC-DC转换器和电机控制电路中。
  此外,Si8233BB-AM1在设计上支持宽输入电压范围,适应多种供电条件,并具备低传播延迟和通道匹配特性,有利于实现精确的时序控制。其高集成度和可靠性使其成为工业自动化、新能源和智能电网等领域中理想的功率驱动解决方案。

应用

Si8233BB-AM1主要应用于需要高性能隔离驱动的场合,如工业电机驱动器、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车车载充电器、DC-DC功率转换模块、智能电网设备、工业自动化控制系统以及家用和商用高效电源设备等。其优异的性能和高可靠性也使其在高温、高湿度和高电磁干扰的恶劣环境中表现出色。

替代型号

ADuM4223-AD1, HCPL-J312, UCC21520, NCD57001, LTVSP5-15GB

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SI8233BB-AM1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格60 : ¥43.87950管件
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)45ns,45ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)12ns,12ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低2A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VDFN
  • 供应商器件封装14-QFN(5x5)
  • 认证机构CQC,CSA,UL,VDE