时间：2025/5/23 10:26:52
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GA1206A561GXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
型号：GA1206A561GXABR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
总电容(Ciss)：3240pF
功耗(PD)：140W
封装形式：TO-247
GA1206A561GXABR31G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低导通损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 大电流处理能力，支持高达 120A 的连续漏极电流。
4. 出色的热稳定性，确保在高功率负载下的可靠运行。
5. 提供 TO-247 封装形式，便于安装与散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
该芯片适用于广泛的功率电子领域，包括但不限于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动
3. 工业自动化设备中的功率控制
4. 新能源汽车中的逆变器模块
5. LED 照明驱动电路
6. 不间断电源（UPS）系统
其高效能表现使其成为上述应用的理想选择。
IRFZ44N
STP120N06LL
FDP120N06L
