您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFBF30PBF

IRFBF30PBF 发布时间 时间:2025/5/13 8:51:37 查看 阅读:21

IRFBF30PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-264封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及DC-DC转换器等场景中,具备低导通电阻和高电流处理能力的特点。

参数

最大漏源电压:50V
  最大连续漏极电流:78A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:240W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRFBF30PBF 的主要特点是其超低的导通电阻,这使其在高电流应用中能够显著降低功耗并提升效率。此外,该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,非常适合高频开关应用。其坚固的设计和宽泛的工作温度范围也确保了其在恶劣环境中的可靠性。
  该器件采用了先进的制造工艺以优化热性能和电气性能,并通过了严格的测试标准以确保产品的一致性和稳定性。

应用

IRFBF30PBF 常用于以下应用场景:
  1. 开关电源设计中的主开关元件。
  2. 电动汽车及混合动力汽车中的电机控制器。
  3. 高效DC-DC转换器模块。
  4. 工业设备中的负载切换和保护电路。
  5. 大功率LED驱动器中的关键功率开关元件。
  6. 各种需要高电流处理能力和低损耗特性的电子系统。

替代型号

IRFP2907ZPBF, IXYS-GT15N50T2

IRFBF30PBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFBF30PBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRFBF30PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 欧姆 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs78nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFBF30PBF