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SI8233AB-AS1 发布时间 时间:2025/8/21 17:57:56 查看 阅读:9

SI8233AB-AS1是一款由Silicon Labs公司推出的高性能双通道隔离式栅极驱动器集成电路,广泛应用于需要高电压隔离和高驱动能力的功率电子系统中。该芯片采用Silicon Labs的专有数字隔离技术,提供了出色的抗噪能力和电气隔离性能,适用于工业自动化、电机控制、电源转换等高要求的应用场景。SI8233AB-AS1的设计旨在驱动高边和低边功率MOSFET或IGBT器件,支持高工作电压(最高可达600V),并具备较强的抗干扰能力和快速的响应时间。

参数

型号:SI8233AB-AS1
  隔离电压:2.5 kVrms(1分钟)
  最大工作电压:600 V
  输出驱动能力:高端和低端各为2.5 A / 2.5 A
  输入电压范围:2.5 V至5.5 V
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:SOIC-16
  传播延迟:最大150 ns
  上升/下降时间:典型值为10 ns / 10 ns

特性

SI8233AB-AS1具备多项先进特性,使其在高性能功率驱动应用中表现出色。首先,该芯片采用Silicon Labs的数字隔离技术,提供高达2.5 kVrms的隔离电压,确保在高电压和高噪声环境下,控制侧和功率侧之间的信号传输安全可靠。
  其次,SI8233AB-AS1是一款双通道驱动器,分别支持高边和低边功率器件的驱动,其输出驱动能力为2.5 A / 2.5 A,能够有效提升功率器件的开关速度,降低开关损耗,并减少对功率器件的热应力影响。
  该芯片支持的工作电压范围为2.5 V至5.5 V,适用于多种微控制器和数字控制器的接口设计。其输入具有宽电压兼容性,使得系统设计更加灵活。此外,SI8233AB-AS1的工作温度范围为-40°C至+125°C,适应各种工业环境下的稳定运行。
  在动态性能方面,SI8233AB-AS1的传播延迟最大为150 ns,上升和下降时间仅为10 ns,这使得它非常适合高频开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等。此外,芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)功能,防止在电源电压不足时误操作,从而提高系统的可靠性。
  最后,SI8233AB-AS1采用SOIC-16封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局设计。

应用

SI8233AB-AS1主要应用于需要高电压隔离和高效功率驱动的电子系统中。例如,在工业电机驱动器中,该芯片可以用于驱动高边和低边IGBT或MOSFET,实现高效能的电机控制。在光伏逆变器和储能系统中,SI8233AB-AS1可用于隔离和驱动DC-AC逆变桥式电路,提高系统的安全性和稳定性。此外,在电动汽车充电系统和车载DC-DC转换器中,该芯片能够提供可靠的高电压隔离和高效的功率驱动能力,确保系统在复杂电磁环境下的正常运行。
  同时,该芯片也适用于工业自动化设备中的功率模块控制,如伺服驱动器、变频器和不间断电源(UPS)等。由于其具备优异的抗干扰能力和快速响应时间,因此在高频率开关应用中也表现出色,常用于高频电源转换器和数字电源系统中。
  在家电领域,SI8233AB-AS1也可用于高效能变频空调、洗衣机等产品的功率控制模块,提供稳定的隔离驱动性能,提升整机效率。

替代型号

ADuM3223-ARZ, UCC21225A, NCD57001, FAN7382

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SI8233AB-AS1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格48 : ¥46.64271管件
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)45ns,45ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)12ns,12ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低2A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UL,VDE