型号：SI8232BD-D-IS
　　通道数：2
　　方向配置：双向/单向可配置
　　数据速率：最高150 Mbps
　　供电电压（VDD）：2.7V 至 5.5V
　　隔离耐压：5000 VRMS（1 分钟，UL 1577）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8-SOIC（宽体，D package）
　　绝缘材料：聚酰亚胺电容介质
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs 典型值
　　传播延迟：典型值 35 ns
　　脉冲宽度失真：≤5 ns
　　静态电流：每通道约 1.5 mA（典型值）
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5（VDE 0884-10）、CSA Component Acceptance Notice #5

SI8232BD-D-IS 采用 Silicon Labs 独有的电容隔离技术，利用高频调制和差分电容耦合机制来实现跨隔离栅的数据传输。这种架构不仅提供了比传统光耦更高的速度和可靠性，而且避免了 LED 老化带来的寿命限制问题。其核心原理是将输入端的数字信号编码为高频载波信号，通过微缩型硅基电容结构穿透隔离层，在输出端进行解码还原成原始信号。该技术使得器件具备非常高的共模瞬态抗扰度（CMTI），即使在存在快速电压跳变的高压环境中也能保持稳定的数据传输。此外，该芯片内部集成了完整的信号调理电路，包括线路接收器、解码逻辑、故障检测模块和上电复位功能，确保上电过程中输出状态可控，防止误触发。
　　该器件支持灵活的通道配置，两个通道可以独立设置为输入或输出方向，适应多种接口需求，如 SPI、I2C 或通用 GPIO 隔离。每个通道都具备精确的时序控制能力，具有低且对称的上升/下降时间，减少了信号畸变。传播延迟小且一致性好，有利于构建高精度同步控制系统。同时，芯片内置刷新机制，可在无输入跳变时自动维持输出状态，防止因长时间无信号导致的状态漂移。
　　SI8232BD-D-IS 还具备强大的抗噪能力和热稳定性。其聚酰亚胺绝缘层具有优异的介电强度和长期可靠性，经过严格的老化测试验证，可承受高达 5000 VRMS 的隔离电压持续一分钟。器件符合 IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 标准中对增强型隔离的要求，适用于需要功能或安全隔离的应用场景。此外，该产品采用 SOIC-8 宽体封装，引脚间距大，爬电距离和电气间隙满足高压隔离要求，提升了整体系统的安全性。由于无需外部偏置元件或光电器件驱动电路，设计更为简洁，降低了系统成本和故障率。

SI8232BD-D-IS 广泛应用于需要高可靠性和高性能信号隔离的工业与电力电子系统中。常见用途包括工业自动化设备中的数字 I/O 隔离模块，用于保护控制器免受现场传感器或执行器引入的高压干扰。在电机驱动系统中，该芯片常被用来隔离微控制器与栅极驱动器之间的 PWM 控制信号，确保在高 dv/dt 环境下仍能准确传递开关指令，提升逆变器的运行稳定性。在开关电源和 DC-DC 转换器中，SI8232BD-D-IS 可用于反馈环路或同步整流控制信号的隔离，提高电源效率并满足安规要求。此外，它也适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电控制器，用于隔离通信接口或状态监测信号。
　　在通信领域，该器件可用于 RS-485、CAN 总线等差分总线系统的隔离，增强网络抗干扰能力，延长通信距离。医疗电子设备中同样依赖此类高性能隔离器，例如病人监护仪或诊断仪器，用于隔离测量前端与主控单元，保障患者安全。在测试与测量仪器中，SI8232BD-D-IS 可防止接地回路引起的噪声耦合，提升测量精度。其宽温域特性和高 CMTI 指标也使其适用于汽车电子中的车载充电系统或电池管理系统（BMS）的信号隔离环节。总之，凡是在存在高压、强电磁干扰或需要功能安全隔离的应用中，SI8232BD-D-IS 都是一个理想的选择。

ADuM120N0BRZ
　　ISO7221ADR
　　MAX14850EASA+