存储容量：4 Mbit (512 K × 8)
　　接口类型：SPI (支持单/双/四线模式)
　　工作电压：2.3V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高 20 MHz
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-pin SOIC
　　写入耐久性：> 10^14 次/字节
　　数据保持时间：超过 20 年
　　待机电流：典型值 20 μA
　　工作电流：典型值 5 mA
　　是否有RTC：可选带RTC版本
　　备份电源支持：支持 VBACKUP 引脚

CY14B104K-ZS25XI 的核心优势在于其采用的 F-RAM（铁电存储器）技术，这种技术不同于传统浮栅型非易失性存储器如 EEPROM 或 Flash，它通过铁电材料的极化状态来存储数据，从而实现了近乎无限的写入寿命和极低的写入延迟。由于 F-RAM 在写入时无需进行擦除操作，也不依赖于页编程机制，因此可以实现真正的字节级随机写入，极大提高了系统效率并减少了写入延迟。这一特性特别适用于需要高频数据采集和日志记录的应用，例如工业传感器、智能电表或医疗监测设备，在这些场合中传统 EEPROM 往往会因写入次数限制而提前失效。
　　CY14B104K-ZS25XI 支持多种 SPI 操作模式，包括标准 SPI、Dual Output、Dual I/O、Quad Output 和 Quad I/O，允许用户根据系统需求灵活选择通信速度与引脚资源之间的平衡。其最大支持 20 MHz 的 SPI 时钟频率，使得数据传输速率远高于普通 I2C EEPROM，显著提升整体系统响应性能。此外，该器件具备极低的功耗特性，尤其在待机模式下仅消耗约 20 μA 电流，非常适合由电池供电或对能耗敏感的应用场景。
　　另一个关键特性是其可选的实时时钟（RTC）功能，配合 VBACKUP 备用电源引脚，可在主电源断电时继续维持时间计数，确保事件时间戳的连续性。这在数据记录系统中至关重要，例如黑匣子记录仪或远程监控终端。同时，该芯片具有出色的抗干扰能力和数据保持能力，在高温、高湿或强电磁干扰环境下仍能可靠运行。Cypress 还提供了完整的软件库和应用指南，帮助开发者快速集成该器件到现有系统中，缩短产品开发周期。

CY14B104K-ZS25XI 广泛应用于需要高写入耐久性、快速写入响应和长期数据保存的嵌入式系统中。常见应用场景包括工业自动化控制系统中的参数设置与故障日志记录，其中频繁的数据更新要求存储器具备极高的写入寿命；在智能仪表领域，如电表、水表和气表，该芯片可用于存储计量数据和操作日志，确保每次读数都能即时写入且不丢失；医疗设备如便携式监护仪也依赖此类存储器来记录患者生命体征变化，F-RAM 的无延迟写入避免了数据丢失风险。
　　在汽车电子方面，CY14B104K-ZS25XI 可用于车载事件记录器（Event Data Recorder）、ECU 参数存储或胎压监测系统的数据缓存，其宽温特性和高可靠性满足汽车级应用需求。此外，在物联网终端设备中，作为边缘节点的数据暂存介质，该芯片能够在低功耗状态下实现高效数据捕获与本地留存，待网络恢复后上传云端。其他还包括 POS 终端、打印机墨盒识别、军用装备配置存储等对数据完整性要求极高的场合。凭借其兼具非易失性与类 SRAM 写入性能的特点，CY14B104K-ZS25XI 成为替代传统 EEPROM 和 SRAM + Backup Battery 架构的理想选择。

FM25V05-GTR
　　CY14X108L-ZS45XI
　　MB85RS4MT