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BSC160N10NS3 G 发布时间 时间:2025/5/24 18:50:13 查看 阅读:12

BSC160N10NS3 G是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用N沟道增强型技术,适用于高频开关和功率转换应用。其设计优化了导通电阻和开关性能,在汽车电子、工业控制及消费类电子领域中被广泛使用。
  该芯片的封装形式为TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺,能够有效降低系统成本并提高可靠性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:160A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:89nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

BSC160N10NS3 G具有低导通电阻的特点,这有助于减少功率损耗并提升效率。
  此外,它还具备高雪崩能力和热稳定性,能够在恶劣环境下可靠运行。
  其快速开关特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等应用。
  由于采用了先进的制造工艺,该器件在小型化的同时保持了卓越的电气性能。
  另外,该产品的高电流处理能力也使其成为大功率应用的理想选择。

应用

该MOSFET常用于以下场景:
  1. 汽车电子中的启动电机控制和负载切换。
  2. 工业设备里的不间断电源(UPS)与逆变器。
  3. 消费电子产品中的适配器和充电器。
  4. 高效功率转换电路如PFC(功率因数校正)和SMPS(开关模式电源供应)。
  5. 太阳能逆变器中的功率管理模块。

替代型号

BSC160N10NS5G, IRFZ44N, FDP16N10S

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BSC160N10NS3 G参数

  • 数据列表BSC160N10NS3 G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 33A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 33µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 50V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC160N10NS3 G-NDSP000482382