型号：SI8232AD-B-IS
　　通道数：2
　　方向性：双通道单向（默认方向可配置）
　　数据速率：150 Mbps
　　供电电压（VDD1/VDD2）：2.7 V 至 5.5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离电压（RMS）：5000 V RMS（1 分钟，UL 1577）
　　增强型隔离认证：符合 IEC/EN/DIN EN 60747-17 标准
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs（最小值）
　　传播延迟：最大 35 ns
　　脉冲宽度失真：≤5 ns
　　静态电流：每通道小于 1 mA（典型值）
　　封装类型：8-SOIC 宽体（WB）
　　爬电距离：≥8 mm（符合加强绝缘要求）
　　介电强度：测试电压 5000 V RMS 持续 1 分钟

SI8232AD-B-IS 具备卓越的电气隔离性能和高速信号处理能力，其核心优势在于采用了 Silicon Labs 自主研发的数字隔离技术，基于高频调制和电容耦合原理，能够在保证高数据速率的同时维持出色的信号完整性和时序精度。该器件在每个通道上都实现了精确匹配的传播延迟和极低的脉冲宽度失真，这对于需要同步控制的应用（如电机驱动中的上下桥臂控制信号）至关重要，可以有效防止直通现象的发生。其高达 ±100 kV/μs 的共模瞬态抗扰度（CMTI）确保在存在剧烈电压变化的环境中（例如功率逆变器或开关电源中），输出端不会因共模噪声而产生误触发，从而保障系统的稳定运行。
　　该芯片支持双单向配置，默认状态下两个通道均为从输入侧到输出侧的单向传输，但也可根据具体应用需求进行灵活布线以实现特定方向的数据流控制。工作电压范围覆盖 2.7 V 至 5.5 V，使其既能与低压逻辑器件（如 3.3 V MCU）无缝对接，也能兼容传统 5 V 系统，提升了系统设计的灵活性。在功耗方面，SI8232AD-B-IS 表现出优异的能效特性，静态电流低于 1 mA 每通道，有助于降低系统总功耗，特别适合对热管理和能源效率有严格要求的应用场景。
　　SI8232AD-B-IS 通过了多项国际安全认证，包括 UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5、VDE 0884-10（符合 DIN EN 60747-17）以及中国 CQC 认证，支持高达 5000 V RMS 的隔离耐压，满足功能安全和基本/增强型绝缘要求。其宽体 SOIC 封装提供了足够的爬电距离和电气间隙（≥8 mm），适用于污染等级 2 的工业环境。此外，该器件无铅、符合 RoHS 指令，并具备高抗硫化物腐蚀能力，可在潮湿、高温或多尘的恶劣条件下长期稳定运行。相比传统光耦，SI8232AD-B-IS 不含易老化的发光二极管，寿命更长，且不受光衰影响，温度漂移小，性能一致性好，极大地提高了系统可靠性。

SI8232AD-B-IS 广泛应用于需要电气隔离的工业自动化与电力电子系统中。常见用途包括隔离式开关电源（如反激、正激、LLC 谐振转换器）中的反馈控制环路和 PWM 信号传输，用于将初级侧的控制信号安全地传递至次级侧，同时阻断高压干扰。在电机驱动领域，它常被用于隔离微控制器发出的 PWM 信号至栅极驱动器，特别是在三相逆变器、伺服驱动器和变频器中，确保高低压域之间的安全隔离，防止高压侧故障影响低压控制电路。此外，该器件也适用于工业可编程逻辑控制器（PLC）、数字输入模块、现场总线接口、隔离 ADC/DAC 接口以及电池管理系统（BMS）中的通信隔离环节。
　　在新能源领域，SI8232AD-B-IS 可用于太阳能逆变器和储能系统中，实现 DC-AC 转换器控制信号的隔离传输，保障操作人员和设备的安全。其高 CMTI 特性使其在高频开关环境下仍能保持信号完整性，适用于 SiC 和 GaN 功率器件驱动场合。在医疗电子设备中，当需要符合严格的绝缘和漏电流标准时，该器件也可作为辅助隔离元件使用。由于其支持高速数据传输（最高 150 Mbps），还可用于隔离 SPI、UART 等数字通信接口，适用于需要快速响应和实时控制的闭环系统。总之，凡涉及高压与低压电路交互、噪声抑制、系统安全性提升的场景，SI8232AD-B-IS 均是一个理想的选择。

SI8622BB-B-IS
　　ISO6721
　　ADM3260BRWZ