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SI8231AD-D-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 18:25:40 查看 阅读:99

Si8231AD-D-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)公司推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片,专为驱动功率MOSFET和IGBT设计。该器件采用Silicon Labs的专有数字隔离技术,提供高绝缘能力和抗噪性能,适用于高电压和高功率应用场景。Si8231AD-D-ISR 采用8引脚SOIC封装,具有良好的热性能和可靠性。

参数

供电电压:2.5V 至 5.5V
  输出驱动电流:拉电流/灌电流各为 2.5A(典型值)
  最大工作频率:1 MHz
  输入信号延迟:100 ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输出电压摆幅:0V 至 VDD
  隔离电压:2.5 kVRMS(符合UL1577标准)

特性

Si8231AD-D-ISR 的核心特性之一是其基于CMOS的数字隔离技术,提供高达5 kV的增强型隔离能力,确保在高压环境下信号传输的稳定性和安全性。该芯片包含两个独立的高速通道,支持高达1 MHz的工作频率,适合用于高频开关电源、电机控制和逆变器系统。
  该器件的输入逻辑兼容3.3V和5V电平,便于与多种控制器连接。其输出级采用推挽结构,提供强劲的2.5A驱动能力,能够有效驱动高栅极电荷的功率器件。此外,Si8231AD-D-ISR 具有较短的传播延迟和通道间匹配时间,确保精确的同步控制。
  在保护功能方面,该芯片具备欠压锁定(UVLO)功能,确保在供电电压不足时自动关闭输出,避免功率器件误动作。同时,其高共模瞬态抗扰度(CMTI)确保在恶劣电磁环境中仍能稳定运行。

应用

Si8231AD-D-ISR 主要应用于需要高隔离性能和高可靠性的功率电子系统中,例如工业电机驱动器、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电设备、数字电源和高功率DC-DC转换器等。其高驱动能力和隔离性能使其成为工业自动化、新能源和智能电网领域的理想选择。

替代型号

Si8230BC-D-ISR, ADuM4223-2BRIZ, UCC21520DWPG4

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SI8231AD-D-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1,250 : ¥22.06098卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低250mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE