类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：300A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为5.8mΩ
　　封装类型：双面散热封装（如SIPM或类似结构）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极驱动电压：10V至20V
　　短路耐受能力：支持

VA3C5CZ933具备多项先进的性能特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该模块采用了Toshiba的U-MOS沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其典型导通电阻为5.8mΩ，支持大电流通过，适用于高功率密度设计。
　　其次，该模块具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性和稳定性。这对于工业电机驱动和逆变器等应用场景尤为重要。
　　此外，VA3C5CZ933采用双面散热封装技术，提升了散热效率。这种封装结构使得热量可以从模块的上下两面同时散发，降低了热阻，从而提升了模块在高功率工作状态下的热稳定性。
　　该模块还具有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），适应性强，能够在极端环境下稳定工作，适用于各种严苛的应用场景。
　　最后，VA3C5CZ933的栅极驱动电压范围为10V至20V，支持标准的栅极驱动器控制，便于集成到现有的控制系统中。

VA3C5CZ933广泛应用于高功率工业和电力电子设备中，如电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电能管理系统和电动汽车充电设备等。其高效率和高可靠性的特性使其成为高性能电源转换系统的理想选择。

TKA75N60W, APT300GN60JRD, STW34NBK2