型号: SI8230AB-AS
　　封装类型: 16-SOIC
　　隔离电压: 5 kVRMS
　　供电电压(VDD): 2.5V 至 5.5V
　　输出驱动电流: 高侧/低侧各为 2.5A（峰值）
　　传播延迟: 最大 120ns
　　工作温度范围: -40°C 至 +125°C
　　输入信号类型: CMOS/TTL 兼容
　　输出类型: 半桥驱动器
　　最大开关频率: 1 MHz
　　安全认证: UL、VDE、CSA、IEC 60747-17

SI8230AB-AS 具备多项先进的性能特性，首先其采用Silicon Labs的数字隔离技术，提供高达5 kVRMS的隔离电压，确保在高压环境下信号传输的安全性和稳定性。该芯片的双通道半桥结构适用于驱动MOSFET或IGBT，能够提供高达2.5A的峰值输出电流，满足高功率应用的需求。
　　此外，SI8230AB-AS 的传播延迟低至120ns以内，具备优异的高频响应能力，支持高达1MHz的开关频率，适用于高频功率转换应用。其输入端兼容CMOS/TTL电平，便于与各种控制器（如MCU或DSP）连接。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+125°C，适应广泛的工业环境。SI8230AB-AS还内置欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在低电压条件下误操作，提高系统稳定性与安全性。
　　在封装方面，该芯片采用16引脚SOIC封装，具备良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型PCB设计。

SI8230AB-AS 主要用于需要高压隔离和高效率功率驱动的场合。典型应用包括工业电机驱动、光伏逆变器、UPS不间断电源、DC-AC逆变器、电动汽车充电模块以及各类工业自动化设备中的功率转换电路。由于其出色的隔离性能和高驱动能力，该芯片也广泛应用于高电压数字电源和智能功率模块（IPM）中。

HCPL-J312, ADuM3223, NCV51561