型号：KM736V689T-10
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR2 SDRAM
　　组织结构：64M x 16
　　总容量：1 Gb (128 MB)
　　供电电压：VDD = 1.8V ±0.1V，VDDQ = 1.8V ±0.1V（或支持1.2V，依具体子版本而定）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -25°C 至 +85°C（扩展级）
　　封装类型：FBGA，84-ball 或 90-ball（具体依据数据手册）
　　最大访问时间：10ns（对应-10速度等级）
　　时钟频率：最高支持100MHz（tCK = 10ns）
　　数据速率：200 Mbps/pin（双倍数据率）
　　刷新周期：标准自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）模式
　　接口类型：CMOS，SSTL_18 兼容
　　引脚兼容性：符合JEDEC LPDDR2标准定义的引脚排列

KM736V689T-10的核心特性之一是其基于LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）标准所实现的卓越能效比。该芯片在设计上引入了多项低功耗技术，包括可编程的电源管理模式，如自动刷新、自刷新、深度掉电模式（Deep Power-down Mode）等，能够在系统空闲或待机状态下大幅降低电流消耗。例如，在自刷新模式下，仅需维持最低限度的内部时钟和刷新操作即可保存数据，从而将功耗降至毫安级别。同时，其电压调节机制支持核心电压（VDD）与I/O电压（VDDQ）的独立控制，进一步优化了信号完整性与功耗表现。该器件还具备出色的时序控制能力，支持多种突发长度（Burst Length）配置，如BL=4、BL=8及交错/顺序寻址模式，可根据不同应用场景灵活调整数据传输效率。
　　另一个关键特性是其高可靠性和稳定性。KM736V689T-10内置错误检测与纠正辅助机制，结合严格的制造工艺和老化测试流程，确保在长期运行中的数据完整性。其采用的先进CMOS工艺不仅提升了集成度，也增强了抗噪声干扰能力。此外，该芯片支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，能够根据环境温度动态调整刷新频率，在高温环境下增加刷新率以防止数据丢失，而在低温下则减少刷新次数以节约能耗，这一机制显著提高了在复杂工况下的运行可靠性。封装方面，FBGA的小型化设计不仅便于高密度PCB布线，还通过短距离互连降低了信号延迟和串扰风险，适用于高频工作的移动平台。最后，该器件具备良好的兼容性，可无缝对接主流应用处理器的内存控制器，简化系统设计流程，缩短产品开发周期。

KM736V689T-10主要应用于对体积、功耗和性能有综合要求的便携式电子产品中。其最典型的应用场景是智能手机和平板电脑，作为主内存或辅助缓存单元，为操作系统、应用程序和多媒体处理提供快速的数据存取支持。在这些设备中，该芯片能够有效平衡处理性能与电池续航之间的矛盾，尤其适合中低端或早期安卓智能设备平台。此外，它也被广泛用于超极本（Ultrabook）、电子阅读器、便携式导航仪（PND）、智能手表及其他穿戴式设备中，承担图形缓冲、音频处理或传感器数据暂存等功能。
　　在工业与嵌入式领域，KM736V689T-10同样具有一定的应用价值。例如，在工业控制终端、医疗监测仪器、车载信息娱乐系统（IVI）以及POS机等设备中，该芯片可用于运行嵌入式操作系统或实时任务调度，保障系统的响应速度和稳定性。由于其具备较宽的工作温度范围和较强的抗干扰能力，因此能在较为严苛的电磁环境或温变条件下可靠运行。此外，在消费类电子产品如数字电视、机顶盒、网络摄像头中，该内存芯片也可作为图像帧缓冲区使用，支持高清视频的流畅播放与编码处理。虽然目前已被更高带宽、更低功耗的LPDDR3及以上标准逐步替代，但在一些生命周期较长的工业项目或维修替换市场中，KM736V689T-10仍具有实际应用需求。

K4P11324QC-FGC1