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SI8221DC-D-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 18:33:58 查看 阅读:13

Si8221DC-D-ISR 是 Silicon Labs 公司推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于驱动功率MOSFET和IGBT器件。该芯片采用Silicon Labs独有的数字隔离技术,提供高绝缘耐压能力,适用于工业电机控制、太阳能逆变器、电源转换系统等高可靠性应用场景。

参数

供电电压:2.9 V 至 5.5 V
  输出驱动电流:±2.5 A(峰值)
  传播延迟:100 ns(最大)
  隔离电压:2.5 kVRMS(符合UL认证)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
  输出类型:图腾柱输出
  封装类型:8引脚SOIC宽体封装

特性

Si8221DC-D-ISR 是一款基于CMOS工艺的高性能隔离式栅极驱动器。该芯片内部集成了高频隔离变压器,提供高达2.5 kVRMS的隔离电压,确保在高电压环境下依然具备稳定的信号传输能力。
  其输入侧与输出侧之间具有出色的抗电磁干扰(EMI)性能,并支持高达150 Mbps的数据传输速率,适用于高频开关应用。该器件的传播延迟低至100 ns,上升和下降时间小于10 ns,确保了精确的开关控制和高效的功率转换。
  此外,Si8221DC-D-ISR 提供宽泛的电源电压范围(2.9 V 至 5.5 V),使其能够兼容多种控制器接口电压标准,包括3.3 V和5 V逻辑系统。该芯片的输出驱动能力为±2.5 A峰值电流,足以驱动高功率MOSFET和IGBT器件。
  为了增强系统的可靠性,该器件还集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于安全工作范围时,自动关闭输出以防止误操作。此外,该芯片具有高共模瞬态抗扰度(CMTI)性能,可有效防止因高dv/dt环境引起的误触发问题。
  Si8221DC-D-ISR 采用8引脚宽体SOIC封装,符合RoHS标准,适用于工业自动化、电动汽车充电系统、UPS不间断电源、太阳能逆变器等多种高可靠性电力电子系统。

应用

Si8221DC-D-ISR 主要用于需要电气隔离的功率开关驱动应用,包括但不限于以下领域:
  工业电机驱动器:用于驱动H桥或三相逆变器中的MOSFET或IGBT,实现高效率、高可靠性的电机控制。
  太阳能逆变器:在光伏逆变系统中,用于隔离控制电路与高压功率电路,提高系统安全性与稳定性。
  不间断电源(UPS):用于驱动DC-AC逆变电路中的功率开关器件,保证电源系统的高效转换与隔离保护。
  电动汽车充电设备:用于高压隔离驱动电路,保障控制端与高压端之间的安全通信与操作。
  通用电源转换系统:如DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路等,适用于需要高隔离性能和快速响应的场合。
  该器件还适用于需要高抗干扰能力和长期稳定性的工业控制和自动化系统。

替代型号

ADuM4221-AD, UCC21520, HCPL-J312, NCD57001, LTVSP5114

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SI8221DC-D-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥17.41029卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离3750Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)30kV/μs(标准)
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,40ns
  • 脉宽失真(最大)-
  • 上升/下降时间(典型值)30ns,30ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低300mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2.5V(最大)
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)30 mA
  • 电压 -?输出供电14.8V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE