时间：2025/7/10 21:19:04
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RF15N100J500CT 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及电源管理模块等应用。其封装形式通常为表面贴装类型，方便自动化生产。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：28nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RF15N100J500CT 的主要特点是具备非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高效率应用中表现出色。同时，它的栅极电荷较低，可以减少开关损耗并提高工作效率。此外，该器件还具有快速的开关速度，能够支持高频操作，从而减小了外部元件的尺寸和整体解决方案的成本。
此 MOSFET 在动态性能上也非常优越，其热稳定性良好，能够在极端温度条件下保持一致的表现。由于采用了坚固耐用的设计，RF15N100J500CT 对雪崩和过载情况也有较强的耐受能力。
该 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 降压或升压型 DC-DC 转换器。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
5. 各类电池管理系统（BMS）中的保护和控制开关。
6. LED 驱动器中的负载切换。
IRFZ44N, FQP16N10, BUK9N10-60E
