您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/5 12:37:24 查看 阅读:7

SI7945DP-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,非常适合用于高效能、高频开关的应用场景。其小型化的封装使其能够适应紧凑型设计需求,同时保持高效的电能转换能力。
  该芯片广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电机控制、电信及网络电源等应用领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷:26nC
  输入电容:1790pF
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:T0-263-7

特性

SI7945DP-T1-E3 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 1.2mΩ(在 Vgs=10V 时)。这种低导通电阻使得该 MOSFET 在高电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。
  此外,该器件的栅极电荷较小,仅为 26nC,从而提高了开关效率并减少了开关损耗。
  其采用的 TrenchFET 第三代技术进一步优化了芯片的热性能和电气性能,确保了其在高温环境下的稳定运行。另外,支持高达 28A 的连续漏极电流也使其成为高功率应用的理想选择。
  最后,它具备宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适用于极端条件下的工业与汽车级应用。

应用

该功率 MOSFET 广泛用于多种电力电子设备,包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电池供电系统中的负载开关。
  3. 高效 DC-DC 转换器模块。
  4. 各种电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制。
  5. 通信基站及服务器的电源管理。
  6. 电动工具和消费类电子产品的电源开关。
  7. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。

替代型号

SI7466DP, SI7864DP, IRF7728

SI7945DP-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI7945DP-T1-E3参数

  • 数据列表SI7945DP
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 10.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs74nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI7945DP-T1-E3TR