时间：2025/6/5 12:37:24
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SI7945DP-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合用于高效能、高频开关的应用场景。其小型化的封装使其能够适应紧凑型设计需求，同时保持高效的电能转换能力。
该芯片广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电机控制、电信及网络电源等应用领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：26nC
输入电容：1790pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：T0-263-7
SI7945DP-T1-E3 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 1.2mΩ（在 Vgs=10V 时）。这种低导通电阻使得该 MOSFET 在高电流应用中表现出色，能够显著降低传导损耗。
此外，该器件的栅极电荷较小，仅为 26nC，从而提高了开关效率并减少了开关损耗。
其采用的 TrenchFET 第三代技术进一步优化了芯片的热性能和电气性能，确保了其在高温环境下的稳定运行。另外，支持高达 28A 的连续漏极电流也使其成为高功率应用的理想选择。
最后，它具备宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适用于极端条件下的工业与汽车级应用。
该功率 MOSFET 广泛用于多种电力电子设备，包括但不限于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电池供电系统中的负载开关。
3. 高效 DC-DC 转换器模块。
4. 各种电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制。
5. 通信基站及服务器的电源管理。
6. 电动工具和消费类电子产品的电源开关。
7. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
SI7466DP, SI7864DP, IRF7728
