时间：2025/5/10 14:28:23
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SI7850DP是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-263-3封装形式，适用于多种开关和功率管理应用。SI7850DP具有低导通电阻、高电流处理能力和良好的热性能，非常适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。
其主要特点是低导通电阻Rds(on)，这使得它在功率转换、电机驱动、负载切换等应用中表现出色。此外，该器件的高雪崩能量能力也增强了其在严苛环境下的可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：48A
导通电阻：2.9mΩ
总功耗：170W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-263-3
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在过载或短路情况下的耐用性。
3. 大电流处理能力，适合高功率应用。
4. 宽工作温度范围，适应各种极端环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 可靠性高，经过严格的质量测试，确保长期稳定运行。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 汽车电子中的各种功率控制应用。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5500
AO3400
