型号：K9F2808U0A-YIB0
　　制造商：Samsung
　　类型：NAND Flash
　　容量：256 Mbit (32 MB)
　　组织结构：16,384 块 × 32 页/块 × 528 字节/页
　　页面大小：512 字节数据 + 16 字节备用区
　　块大小：16 KB (32 页)
　　工作电压：2.7 V ~ 3.6 V
　　温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装：TSOP-1 (48-pin)
　　接口类型：并行 NAND 接口
　　编程时间：典型 200 μs / 页
　　擦除时间：典型 2 ms / 块
　　读取延迟：最大 50 ns
　　总线宽度：8-bit
　　可靠性：数据保持期 ≥ 10 年，耐久性 ≥ 100,000 次擦写循环

K9F2808U0A-YIB0作为一款经典的NAND Flash存储芯片，具备多项关键特性以满足嵌入式系统对高性能、高可靠性和低成本存储的需求。首先，其256Mbit的存储容量被划分为16,384个独立可擦除的块，每个块由32个页面组成，每个页面可存储528字节数据（其中512字节为主数据区，16字节为OOB/Spare Area），这样的架构设计有利于实现高效的块管理和错误管理机制。OOB区域常用于存放ECC校验码、坏块标记和文件系统元数据，在实际应用中极大提升了数据完整性与系统稳定性。
　　该芯片支持标准的NAND Flash命令集，包括读取、编程（写入）、块擦除以及随机数据读取等功能。所有操作均通过命令锁存使能（CLE）、地址锁存使能（ALE）和写使能（WE#）信号协同完成，配合8位并行数据总线进行高效通信。内部集成了地址和数据缓冲机制，允许在一页内进行连续读写操作，减少主控负担。此外，K9F2808U0A-YIB0具备快速编程能力，典型编程时间为200微秒每页，块擦除时间约为2毫秒，显著优于传统EEPROM或其他串行Flash器件，适合需要频繁更新的大批量数据存储应用。
　　在电源管理方面，该芯片采用3.3V单电源供电，兼容主流嵌入式处理器的I/O电平，降低了系统设计复杂度。待机模式下功耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。同时，其TSOP-48小型化封装便于在空间受限的PCB上布局，广泛应用于工业控制、消费类电子产品和通信模块中。更重要的是，该器件经过严格测试，保证在-40°C至+85°C工业级温度范围内稳定运行，具备出色的环境适应能力。结合其高达10万次的擦写寿命和至少10年的数据保持能力，使其成为许多长期部署系统的理想选择。

K9F2808U0A-YIB0因其高密度、低成本和可靠的非易失性存储特性，被广泛应用于多种嵌入式系统和消费类电子产品中。常见用途包括作为固件存储介质用于路由器、机顶盒、工业PLC控制器等设备，用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像或配置参数。由于其较大的存储容量和较快的写入速度，也常用于数据记录仪、POS终端、智能电表等需要持久化保存运行日志或交易数据的场合。
　　在消费电子领域，该芯片曾广泛用于早期的MP3播放器、数码相框、USB OTG设备以及车载多媒体系统中，作为音频、图片或视频文件的本地存储单元。此外，在一些需要扩展存储容量的微控制器系统中，K9F2808U0A-YIB0可作为外部大容量数据缓存，配合SPI或并行接口主控实现文件系统功能（如FAT格式）。得益于其良好的兼容性和成熟的驱动支持，许多嵌入式Linux系统也将其用作根文件系统或用户数据分区的载体。
　　在工业自动化和物联网边缘设备中，该芯片适用于采集传感器历史数据、设备状态信息或远程升级固件（OTA）时的临时存储区。其耐用性强、抗干扰能力好，能在恶劣环境中长期稳定工作。尽管随着技术发展，更高密度、更小封装的新型NAND Flash逐渐取代部分老型号，但K9F2808U0A-YIB0仍因供货稳定、成本低廉而在许多存量项目和替代设计中持续使用。

K9F2808U0B-YCB0
　　K9F2G08U0B-PBB0
　　MT29F2G08ABAEA
　　W29GL032CH
　　S34ML02G200TF