时间：2025/4/30 18:07:34
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SI7806ADN-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen IV 技术，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适合在高效率、高频应用中使用。其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的设计场景。
该 MOSFET 的工作电压范围较宽，最大漏源极电压为 60V，能够满足多种电源管理和电机驱动应用的需求。同时，它还具备快速开关特性和低栅极电荷特性，有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。
最大漏源极电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：11nC
总栅极电荷：17nC
输入电容：1050pF
最大工作结温：175℃
封装类型：PowerPAK? 1212-8
1. 超低导通电阻：SI7806ADN-T1-E3 的导通电阻非常低，仅为 4.5mΩ（典型值），这使得它在高电流应用中表现出色，并且能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力：由于其较低的栅极电荷和优化的开关性能，这款 MOSFET 非常适合高频应用环境，可有效减少开关损耗。
3. 宽电压范围：支持最高 60V 的漏源极电压，能够适用于多种不同的电路设计需求。
4. 小型化封装：采用 PowerPAK? 1212-8 封装形式，节省了 PCB 空间，同时保持了良好的散热性能。
5. 高可靠性：器件的工作结温高达 175℃，确保了其在极端温度条件下的稳定运行。
1. DC/DC 转换器：
在各种降压或升压转换器拓扑中用作功率开关元件，提供高效的电能转换。
2. 电机驱动：
用于控制无刷直流电机或其他类型的电机，提供精确的速度和扭矩控制：
作为主开关管，在 AC/DC 和 DC/DC 转换器中实现高效功率传递。
4. 电池保护：
在电池管理系统中，可用于过流保护、短路保护等功能。
5. 工业自动化：
在工业控制系统中，用于负载切换和信号调节等任务。
SI7806DN, SI7480DP, IRF7806
