时间：2025/5/22 2:47:59
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SI7485DP-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高效率、高性能的开关应用。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
这款 MOSFET 专为要求低功耗和高可靠性的应用场景设计，能够显著降低导通损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：9nC
总热阻（结到环境）：62.5°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI7485DP-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流应用中有效减少功耗。
2. 快速开关性能，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在严苛环境下的稳定性。
5. 支持无铅工艺，满足环保要求。
6. 紧凑型 TO-252 封装，便于 PCB 布局和散热设计。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流电机驱动和负载切换。
3.保护和配电。
4. 工业设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动器中的高效开关元件。
6. 便携式电子设备中的充电电路和保护电路。
SI7860DP, IRFZ44N, FDP5800
