时间：2025/6/22 5:16:33
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IRF7104TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型封装，具有低导通电阻和高开关速度，非常适合用于便携式设备、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电应用中的高效能开关解决方案。
该芯片通过优化设计以实现更低的导通损耗，并在高频开关条件下提供优异的性能表现。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：1.6nC（典型值）
功耗：1W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TSOP-6
IRF7104TR 的主要特点包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以有效降低传导损耗并提升效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 小尺寸 TSOP-6 封装，有助于节省电路板空间。
4. 优秀的热稳定性，在高温环境下也能保持可靠的性能。
5. 具备反向恢复电荷低的特点，适合同步整流及高频转换场景。
该元器件广泛应用于多种电子设备中，具体包括：
1. 手机和其他便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
3. 开关电源 (SMPS) 应用。
4. 各种电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
5. 电机驱动和信号切换领域。
IRF7102TR, IRF7103TR, Si4476DY
